LET-5000半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)是一款測(cè)量與分析功率半導(dǎo)體器件靜態(tài)參數(shù)的專用儀器,為所有類型的功率半導(dǎo)體器件提供靜態(tài)參數(shù)測(cè)量解決方案。
LET-5000 半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能在 3kV(可擴(kuò)展為 10kV)和 2200A 的條件下實(shí)現(xiàn)精確測(cè)量、分析功率半導(dǎo)體器件的靜態(tài)參數(shù)。LET-5000 具有快脈沖能力,以及亞 pA 級(jí)電流檢測(cè)能力,并具有優(yōu)異的寬電壓和電流測(cè)量能力。
被測(cè)對(duì)象及主要測(cè)試參數(shù)
被測(cè)對(duì)象 | 主要測(cè)試參數(shù) |
分立器件 | Id-Vg,Id-Vd,Ic-Vc,二極管 |
雙極 | Ic-Vc、二極管、Gummel 圖、擊穿、hfe、電容 |
Coms | Id-Vg、Id-Vd、Vth、擊穿、電容、QSCV等 |
內(nèi)存 | Vth、電容、耐久測(cè)試等。 |
MOSFET | Id-Vds,Rds-Id,Id-Vgs,電容 |
IGBT | Ic-Vce,Ic-Vge,Vce(sat),Vth Vge(off),擊穿 |
太陽能電池 | I-V、Cp-V、奈奎斯特圖、DLCP 等。 |
納米器件 | 電阻、Id-Vg、Id-Vd、Ic-Vc等。 |
GaN | FET 電流衰減、Id-Vds 電流衰減、二極管電流 |