BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀

晶體管的極限參數(shù)

晶體管所能承受的電壓、功率耗散以及所通過的電流都是有一定限度的，當(dāng)其超過額定值時，輕則影響晶體管的工作性能，嚴重時將使其損壞。以下介紹晶體管的主要極限參數(shù)。
1.集電極zui大允許耗散功率Pcm
Pcm是指晶體管因溫度升高引起參數(shù)的變化不超過規(guī)定值時，集電極所消耗的zui大功率。 晶體管在正常工作時，集電結(jié)加的是反向偏置電壓，集電結(jié)的反向電阻很高，這樣，集電極電流流過集電結(jié)時就要產(chǎn)生大量的熱量，結(jié)溫就會升高，若溫度過高，將導(dǎo)致晶體管不可逆轉(zhuǎn)的損壞。人們根據(jù)晶體管zui高允許結(jié)溫定出zui大允許耗散功率。為了降低結(jié)溫，對于大功率晶體管，人們往往要另設(shè)散熱片，散熱片表面積越大，散熱效果越好，晶體管的Pcm就可以適當(dāng)提高。
2.集電極zui大允許電流Icm
集電極電流增大，會導(dǎo)致晶體管的電流放大倍數(shù)β下降，當(dāng)β降至低頻電流放大倍數(shù)βo的額定倍數(shù)（通常規(guī)定為二分之一或三分之一）時，此時的集電極電流稱為集電極zui大允許電流Icm。因此，當(dāng)晶體管的集電極電流達到Icm時，晶體管雖不致?lián)p壞，但電流放大倍數(shù)已大幅度下降。
3.集電極--發(fā)射極擊穿電壓BVCEO
BVCEO是指晶體管基極開路時，加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的zui大允許電壓。對于NPN型晶體管而言，集電極接電源的正極，發(fā)射極接電源的負極；對于PNP型晶體管而言，集電極接電源的負極，發(fā)射極接電源的正極。
當(dāng)加在晶體管集電極與發(fā)射極之間的電壓大于BVCEO的值時，流過晶體管的電流會突然增大，導(dǎo)致晶體管*性損壞，這種現(xiàn)象稱為擊穿。

產(chǎn)品特點：

    BJ2988A型晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀可以同時進行瞬態(tài)熱阻及正偏二次擊
穿的一次性檢測。兩種參數(shù)放在同一臺儀器上檢測是為了滿足軍用功率晶體管實際檢測的需
要，是軍用功率晶體管zui快速篩選測試（用幾十分鐘的參數(shù)測試取代168小時滿功率老化）
及貫徹國軍標所必需的測試儀器。這種參數(shù)測試儀不但解決了測試中的燒管問題，也可直接
進行正偏二次擊穿功率的檢測。本儀器的配套電源為本廠生產(chǎn)的WD-9型晶體管穩(wěn)壓電源。

BJ2988A 晶體管正偏二次擊穿及瞬態(tài)熱阻測試儀技術(shù)指標：

 （1） 測試功率：0~750W
（2） 集電極—發(fā)射極電壓VCE：0~300V±2%
（3） 發(fā)射極電流IE：0~5A  ±2%
（4） M數(shù)字表：0~ —4.00mV / ℃    ±3%
（5） △VBE數(shù)字表：0~999 mV   ±3%
（6） 脈寬τ：1mS~1000S（分七檔）
           脈寬擴展：τ×1、τ×2、τ×5