四探針電阻率測(cè)試儀價(jià)格 簡(jiǎn)介:
1、符合半導(dǎo)體材料電阻率的及國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法。
2、測(cè)量厚度大于4倍探針間距的硅晶體,也可測(cè)量薄硅片電阻率及方阻。
3、電阻率測(cè)量范圍復(fù)蓋zui常用的區(qū)段:0.01—199.9Ω·cm。(可添加電阻率小于0.5Ω·cm的報(bào)警功能)
方塊電阻測(cè)量范圍復(fù)蓋zui常用的區(qū)段:0.1—1999Ω/□。(可添加方塊電阻小于5Ω/□的報(bào)警功能)
4、配置高精度恒流源,測(cè)量電流穩(wěn)定,分兩檔:1mA、10mA,每檔均可在大范圍內(nèi)調(diào)節(jié)(1mA:0.1—1mA;10mA:1mA—10mA)。
5、測(cè)量精度高:電器測(cè)量精度優(yōu)于0.3%;
整機(jī)測(cè)量誤差:測(cè)量1-100Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±3%。
測(cè)量大于100Ω·cm和小于1Ω·cm的標(biāo)準(zhǔn)硅片誤差≤±5%。
6、重量輕,約2.5kg;體積?。?40×210×100(mm)。
7、可配用多種探針間距的四探針頭:1.00mm、1.59mm。
四探針電阻率測(cè)試儀價(jià)格測(cè)量范圍:
可測(cè)量 電阻率:0.01~199.9Ω•cm。
可測(cè)方塊電阻:0.1~1999Ω/口
當(dāng)被測(cè)材料電阻率≥200Ω•cm數(shù)字表顯示0.00。
(2)恒流源:
輸出電流:DC 0.1mA~10mA分兩檔
10mA量程:0.1~1mA 連續(xù)可調(diào)
10mA量程:1mA ~10mA連續(xù)可調(diào)
恒流精度:各檔均優(yōu)于±0.1%
適合測(cè)量各種厚度的硅片
(3) 直流數(shù)字電壓表
測(cè)量范圍:0~199.9mv
靈敏度:100μv
準(zhǔn)確度:0.2%(±2個(gè)字)
(4) 供電電源:
AC:220V ±10% 50/60HZ 功率8W
(5) 使用環(huán)境:
相對(duì)濕度≤80%
(6) 重量、體積
重量:2.2 公斤
體積:寬210×高100×深240(mm)
(7)KD探針頭
壓痕直徑:30/50μm
間距:1.00mm
探針合力:8±1N
針材:TC
產(chǎn)品關(guān)鍵詞:四探針電阻率測(cè)試儀,四探針測(cè)試儀, 四探針電阻率測(cè)量?jī)x