主要特點(diǎn):
GC-200系列高性能氣相色譜儀采用技術(shù)，整合國(guó)內(nèi)氣相色譜儀優(yōu)點(diǎn)而研制成的一代氣相色譜儀?？筛鶕?jù)使用需要靈活選配氫焰離子化（FID）、 熱導(dǎo)（TCD)、火焰光度（FPD）、氮磷（NPD）等檢測(cè)儀，可對(duì)沸點(diǎn)399℃以下有機(jī)物、無(wú)機(jī)物及氣體進(jìn)行常量、微量甚至痕量分析。應(yīng)用于石油、化工、化肥、制藥、電力、食品、發(fā)酵、環(huán)保和冶金等眾多領(lǐng)域。GC-200系列以優(yōu)異的性價(jià)比和完善的售后服務(wù)已成為國(guó)內(nèi)許多氣相用戶的產(chǎn)品。
主要特點(diǎn):
新款采用背壓閥分流/不分流模式
柱溫箱
考慮到氣化室或檢測(cè)器加熱產(chǎn)生的熱輻射，使用獲得的高性能大柱溫箱，柱溫箱設(shè)計(jì)成豎立結(jié)構(gòu)，使用溫度可達(dá)到420℃,溫控范圍+7℃~420℃，5階程序升溫，自動(dòng)后開(kāi)門，可以設(shè)定420℃以內(nèi)的高度使用溫度，固定的450℃獨(dú)立保護(hù)電路，具有雙重保護(hù)結(jié)構(gòu)。
進(jìn)樣器
1.填充柱柱上進(jìn)樣
2.分流/不分流進(jìn)樣
3.大口徑毛細(xì)管WBC進(jìn)樣
4.填充柱汽化進(jìn)樣
5.六通閥氣進(jìn)樣式
主要技術(shù)指標(biāo)
| 柱溫箱 | 溫控范圍 | 室溫+7℃~420℃ |
| 溫控精度 | 優(yōu)于±0.1℃ | |
| 內(nèi)部體積 | 240×160×360mm | |
| 程序階數(shù) | 5階 | |
| 升溫速率 | 0.1~39.9℃/min任意設(shè)定 | |
| 升溫時(shí)間 | 0~665min(增量1min) |
創(chuàng)保護(hù)技術(shù)
*1、過(guò)溫保護(hù)：當(dāng)各熱區(qū)實(shí)際溫度超過(guò)設(shè)定的值時(shí)，過(guò)溫保護(hù)裝置啟動(dòng)，自動(dòng)切斷儀器各加熱區(qū)電源，同時(shí)報(bào)警以避免發(fā)生意外。
*2、過(guò)流保護(hù)：當(dāng)TCD檢測(cè)器工作時(shí)，如電流設(shè)置過(guò)大或TCD阻值突然增加時(shí)，過(guò)流保護(hù)裝置啟動(dòng)，自動(dòng)切斷TCD橋電流，同時(shí)報(bào)警并顯示OVER TCD以保護(hù)鎢絲不被燒毀（若用戶由于操作失誤，在未通載氣的情況下啟動(dòng)TCD，該裝置亦可自動(dòng)切斷電源以保護(hù)鎢絲）。也可增加放大電路，以增加靈敏度。
*3、死機(jī)保護(hù)：儀器在工作時(shí)，當(dāng)出現(xiàn)各加熱區(qū)的熱敏元件短路、斷路、加熱絲對(duì)地、微機(jī)操作系統(tǒng)死機(jī)等情況時(shí)，儀器能自動(dòng)切斷電源并報(bào)警，避免繼續(xù)工作而出現(xiàn)意外。以上三點(diǎn)保護(hù)功能可使你更加安全放心的進(jìn)行分析工作。
六大溫控
GC-200型氣相色譜儀能夠進(jìn)行六路溫控，其中AUX1控制外加熱裝置，柱溫和AUX1帶五階程序升溫。
氣路控制
氣路控制器采用外置式，毛細(xì)管氣路箱、燃?xì)庵細(xì)鈿饴废洫?dú)立放置，氣流比調(diào)節(jié)直觀易懂，控制靈活，而且一旦出現(xiàn)某一氣路問(wèn)題可以立即切換，對(duì)主機(jī)操作無(wú)影響，維護(hù)方便。
噪聲小
主機(jī)內(nèi)各風(fēng)葉采用模具一次成型，對(duì)稱性好，避免在運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)出現(xiàn)不平衡而產(chǎn)生噪聲。
配置靈活
毛細(xì)管進(jìn)樣器獨(dú)立，可以根據(jù)用戶要求本配置雙毛細(xì)管進(jìn)樣器雙放大板，以便同時(shí)安裝兩支毛細(xì)管柱；也可以同時(shí)安裝兩支填充柱；也可以同時(shí)安裝一支填充柱和一支毛細(xì)管柱；也可以在此基礎(chǔ)上靈活增加TCD、FPD、NPD、ECD檢測(cè)器以滿足不同的分析要求；一臺(tái)儀器最多可以安裝三種進(jìn)樣器和三種檢測(cè)器。
外型美觀
用立式柱箱，外形美觀大方，占用面積小，適合實(shí)驗(yàn)室狹小的空間使用。
技術(shù)參數(shù):
指標(biāo) 檢測(cè)器 靈敏度或敏度感 漂移 噪音 氫焰（FID） Mt≤1×10-11g/s ≤1×10-12(A/30min) ≤2×10-13A 熱導(dǎo)(TCD) S≥2000mV . m1/mg ≤0.1(mV/30min) ≤0.01mV 火焰(FPD) P≤2×11-12g/s S≤5×10-11g/s ≤4 ×10-11 (A/30min) ≤2×10-11A 氮?dú)?NPD) N≤1×10-12g/s P≤5×10-11g/s ≤2 ×10-12 (A/30min) ≤4 ×10-13A 電子捕獲(ECD) ≤2×10-13g/ml ≤50(uV/30min) ≤20uV
