近紅外單光子探測(cè)器
InP 基雪崩光電二極管工作偏置電壓高于擊穿電壓時(shí)（蓋格模式），單光子入射到探測(cè)器上會(huì)產(chǎn)生宏觀電流脈沖。結(jié)合適當(dāng)?shù)拿}沖檢測(cè)電路，該器件可檢測(cè)波長(zhǎng)范圍為 0.9μm 至 1.2μm 的單光子。
應(yīng)用
- 量子光學(xué)
- 量子計(jì)算
- 激光測(cè)距
- 弱光探測(cè)
- 光譜和熒光測(cè)量
主要特點(diǎn)
- 專為單光子計(jì)數(shù)應(yīng)用而設(shè)計(jì)
- 業(yè)界的 InGaAs(P)/InP 雪崩光電二極管
- 集成三級(jí) TEC，允許-50℃，無(wú)需外部制冷
- 優(yōu)化 0.9 至 1.2μm 波長(zhǎng)
核心參數(shù)
| 參數(shù) | 最小值 | 典型值 | 值 | 參數(shù) |
| 擊穿電壓 Vb Breakdown Voltage | 50 | 55/75 | 80 | 擊穿電壓 Vb Breakdown Voltage |
| 溫度系數(shù) Temp. dependence of Vb | 0.12 | 溫度系數(shù) Temp. dependence of Vb | ||
| 探測(cè)效率 Detection Efficiency | 20 | 30 | 50 | 探測(cè)效率 Detection Efficiency |
| 暗計(jì)數(shù)率 Dark Count Rate | 1 | 5 | 30 | 暗計(jì)數(shù)率 Dark Count Rate |
| 光敏面直徑 Effective Optical | 60/80/100 | 光敏面直徑 Effective Optical | ||
| 封裝方式 Encapsulation | TEC/TO 管殼 | 多模光纖 TO 管殼 | 封裝方式 Encapsulation | |
| 型號(hào) Model | SGA-1064-60/-80/-100 | SGA-F-1064 | 型號(hào) Model | |
機(jī)械規(guī)格(MECHANISM SPECIFICATIONS)
| 引腳標(biāo)號(hào) | 功能描述 |
| 1 | 制冷器（+） |
| 2 | 空 |
| 3 | 空 |
| 4 | 空 |
| 5 | 熱敏電阻 |
| 6 |
|
| 7 | 器件（n） |
| 8 | 器件（p） |
| 9 | 制冷器（-） |
| 備注：此表格對(duì)應(yīng)的類型是單元器件 | |
產(chǎn)品管理(PRODUCT HANDLING)
單位：mm
雪崩光電二極管（APDs）對(duì)靜電放電（ESD）很敏感，在處理這些器件是一定要注意防靜電措施，在使用時(shí)帶上靜電手環(huán)等保護(hù)設(shè)備，防止器件的損壞。
