PlasmaQuant MS ICP-MS ：
(1)節(jié)省消耗的等離子體：獲得穩(wěn)定強勁的等離子體所消耗氬氣量僅為常規(guī)儀器的一半；
(2)的iCRC集成式碰撞反應池：有效去除多原子分子干擾，不損失其它干擾元素靈敏度的前提下獲得更好的碰撞反應效果；氣體切換快速，無需額外維護；
(3)ReflexION離子反射技術：3D聚焦離子反射鏡獲得一定的靈敏度，其靈敏度達到同類產(chǎn)品的5倍以上；
(4)高解析四極桿：3MHz的掃描速度，可獲得好的質譜分離；檢測駐留時間低至50μs；
(5)全數(shù)字脈沖技術檢測器：ICP-MS領域中的全數(shù)字檢測器，線性范圍達10個數(shù)量級，無需頻繁的脈沖和模擬雙模式交叉校準，無需稀釋即可進行痕量到常量的元素分析，使用壽命超長；
這些技術的采用讓PlasmaQuant MS 在靈敏度、線性范圍、檢出限、穩(wěn)定性等方面上一個新臺階。其還可配備潔凈室組件、樣品導入系統(tǒng)、自動進樣器等配件，可靈活、快速實現(xiàn)普通靈敏度模式和高靈敏度模式之間的切換，滿足日常分析和研究級的各種應用。
(1)節(jié)省消耗的等離子體：獲得穩(wěn)定強勁的等離子體所消耗氬氣量僅為常規(guī)儀器的一半；
(2)的iCRC集成式碰撞反應池：有效去除多原子分子干擾，不損失其它干擾元素靈敏度的前提下獲得更好的碰撞反應效果；氣體切換快速，無需額外維護；
(3)ReflexION離子反射技術：3D聚焦離子反射鏡獲得一定的靈敏度，其靈敏度達到同類產(chǎn)品的5倍以上；
(4)高解析四極桿：3MHz的掃描速度，可獲得好的質譜分離；檢測駐留時間低至50μs；
(5)全數(shù)字脈沖技術檢測器：ICP-MS領域中的全數(shù)字檢測器，線性范圍達10個數(shù)量級，無需頻繁的脈沖和模擬雙模式交叉校準，無需稀釋即可進行痕量到常量的元素分析，使用壽命超長；
這些技術的采用讓PlasmaQuant MS 在靈敏度、線性范圍、檢出限、穩(wěn)定性等方面上一個新臺階。其還可配備潔凈室組件、樣品導入系統(tǒng)、自動進樣器等配件，可靈活、快速實現(xiàn)普通靈敏度模式和高靈敏度模式之間的切換，滿足日常分析和研究級的各種應用。
技術參數(shù)：
| 靈敏度 | 1.5千兆計數(shù)/ppm |
| 碰撞反應技術 (CRI II) | 氦氣或氫氣模式 |
| ECO等離子體 | 性能強大，一半氬氣耗量，最小7 L/min |
| 碰撞反應池 | iCRC，無干擾的分析以及BOOST技術 |
| 離子技術 | ReflexION：3D聚焦離子鏡，獲得超高靈敏度 |
| HD四極桿質量分析器 | 3MHz四極桿，超高的質量分離能力； 檢測駐留時間：50μs |
| 檢測系統(tǒng) | ADD10：全數(shù)字脈沖計數(shù)模式檢測系統(tǒng)； 線性動態(tài)范圍：10個數(shù)量級 |
| 靈敏度（M cps/mg/L） | 7Li: ≥150； 115In：≥1500； 232Th：≥1000 |
| PlasmaQuant®MS | 頻度：27.12 MHz； 90度離子偏轉透鏡和雙離軸四極桿 |
| 靈敏度 | 1.5 GHz/ppm |
| 同位素/核素 | 9Be > 5 x 108 cps/mg/L |
