設備介紹
飛行時間二次離子質譜技術(Time of Flight Secondary Ion Mass Spectrometry,TOF-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術,通過用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子因不同的質量而飛行到探測器的時間不同來測定離子質量,具有分辨率的測量技術。
儀器型號
飛行時間二次離子質譜IONTOF 5
技術參數(shù)
- TOF.SIMS 5 – 100包括分析器,真空系統(tǒng),軟硬件等基本配置
- Bi Nanoprobe第二代液態(tài)金屬團簇離子源,30kV,離子光學鏡筒,3級透鏡
- Gas Cluster離子源20kV氣體團簇離子源
- DSC-S用于深度剖析濺射用離子源的連接控制裝置
案例展示
應用范圍
應用范圍:當產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析,可選擇TOF-SIMS.