SEMILAB發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000
壽命測定裝置PV-2000A,壽命測量儀WT-1200,WT-1200B,WT-1200A,4探針薄層電阻測量儀FPP-1000,發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000,激光橢圓儀LE-103PV
SEMILAB發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000
SEMILAB發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000
壽命測定裝置PV-2000A,壽命測量儀WT-1200,WT-1200B,WT-1200A,4探針薄層電阻測量儀FPP-1000,發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000,激光橢圓儀LE-103PV
產(chǎn)品介紹
壽命測定裝置PV-2000A：可以使用 u-PCD 方法通過非接觸式和非破壞性的壽命測量來評估污染和雜質，例如硅和化合物半導體中的鐵濃度?？梢园惭b各種頭用于開發(fā)高效太陽能電池，例如場效應鈍化等鈍化層評估。
壽命測量裝置WT-1200 & WT-1200B ：少數(shù)載流子壽命測量裝置。u-PCD法可對硅塊、硅片進行非接觸、無損的壽命測量，并可進行映射顯示。通過壽命測量，您可以評估污染和雜質，例如硅和化合物半導體中的鐵濃度。
低成本、非接觸式硅單點測量
WT-1200 和 WT-1200B 都使用快速、非接觸式載流子壽命測量來表征太陽能電池制造過程中每個步驟的硅材料。
WT-1200 可以測量從切割晶圓到成品太陽能電池的晶體。WT-1200B 是塊測量的模型。
FPP-1000 是一個獨立平臺，裝有一個傳統(tǒng)的 4 點探頭。它采用絕對測量方法，不依賴于校準參考值。
SHR-1000 可以替代 4 點探頭進行發(fā)射層表征，提供快速可靠的非接觸式測量。發(fā)射極薄層電阻是 PV 應用中硅電池的關鍵質量控制參數(shù)。
發(fā)射極薄層電阻測量裝置SHR-1000:這是一種非接觸式薄層電阻測量裝置。用于太陽能電池（單晶、多晶、非晶、有機）的研發(fā)。渦流法可以非接觸、非破壞性地高精度測量ITO薄膜等透明導電薄膜的薄層電阻。
激光橢圓儀可高精度測量薄膜的膜厚和光學特性（折射率、消光系數(shù)）。可以測量絕緣膜、有機膜、金屬膜等單層膜和多層膜，還可以評價表面粗糙度層和界面層。即使不了解橢圓偏光測量原理的人也可以毫無問題地使用它。
用于硅太陽能電池的激光橢偏儀。這種創(chuàng)新的微型儀器是為測量在紋理硅（單晶硅和多晶硅）基板上生長的抗反射涂層的厚度和光學常數(shù)而開發(fā)的?？梢暂p松優(yōu)化入射角 (12-90°)，以獲得在多晶晶片上生長的薄膜的信號。金字塔結構將樣品固定在適當?shù)奈恢?，同時允許其定向以進行精確測量。
