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射頻離子源RFICP380濺射制備微晶硅薄膜

參考價
360000-1920000
具體成交價以合同協議為準
  • 型號
  • 品牌其他品牌
  • 所在地上海市
  • 更新時間2023-03-14
  • 廠商性質代理商
  • 入駐年限1
  • 實名認證已認證
  • 產品數量200
  • 人氣值3453
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為將國外的高科技產品與中國經濟和社會的飛速發(fā)展緊密結合,為促進國內.貿易的快速發(fā)展,伯東企業(yè)(上海)有限公司,以高科技推動現代化,以高質量服務全中國, 堅持不懈,奮斗不息。伯東公司是一家專業(yè)代理公司,代理上公司的 半導體設備.接插件.電子器件.精密儀器等,公司秉承 改革.創(chuàng)新.求真.發(fā)展的基本原則, 精心構建誠信、互動、共贏的價值體系, 為所有的客戶提供優(yōu)質的產品, 同時,提供全伯東集團網絡支持下的較早.Z快的信息與Z及時周到的服務,伯東公司愿意與世界各地的客戶聯手合作,共建一個誠信.發(fā)展.共同進步的良好環(huán)境.

 

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產地進口 加工定制
硅薄膜作為薄膜太陽能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優(yōu)良的光學穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.
射頻離子源RFICP380濺射制備微晶硅薄膜 產品詳情

因產品配置不同, 價格貨期需要電議, 圖片僅供參考, 一切以實際成交合同為準







硅薄膜作為薄膜太陽能電池的核心材料越來越引起人們的重視, 非晶硅薄膜太陽能電池由于存在轉換效率低和由 S-W 效應引起的效率衰退等問題, 而微晶硅薄膜具有較高電導率、較高載流子遷移的電學性質及優(yōu)良的光學穩(wěn)定性, 可以克服非晶硅薄膜的不足, 已成為光伏領域的研究熱點.

 

采用磁控濺射沉積硅薄膜不需要使用 SiH4 等有毒氣體及相應的尾氣處理裝置, 有利于降低設備成本, 且工藝參數容易控制, 因此經過伯東工程師推薦, 長沙某大學實驗室課題租在研究微晶硅薄膜時, 采用伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積制備微晶硅薄膜.

 

KRI 射頻離子源 RFICP380 技術參數:

射頻離子源型號

RFICP380

Discharge 陽極

射頻 RFICP

離子束流

>1500 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

30 cm Φ

離子束

聚焦, 平行, 散射

流量

15-50 sccm

通氣

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

39 cm

直徑

59 cm

中和器

LFN 2000

 

 

試驗結果:

在實驗中, 通過伯東 KRI 考夫曼射頻離子源 RFICP380 輔助磁控濺沉積的方法, 可以在玻璃襯底上制備出結晶良好的微晶硅薄膜.

 

KRI 離子源的功能實現了更好的性能, 增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經獲得了理想的薄膜和表面特性, 而這些特性在不使用 KRI 離子源技術的情況下是無法實現的.

 

若您需要進一步的了解詳細信息或討論,  請參考以下聯絡方式:

上海伯東: 羅先生    


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