AXUV100TF030光敏二極管，薄膜沉積工藝
集成薄膜濾光片的光電二極管存儲和工作溫度在環(huán)境下是-10°C~40°C，在氮氣或真空是-20°C至80°C，引線焊接溫度是260°C。
OptoDiode生產集成薄膜濾光片，用于檢測太陽EUV輻射、軟X射線輻射測量、X射線和EUV光刻、X射線顯微鏡和XUV光譜。美國OptoDiode還生產光學濾光片窗口、日光濾光片和多波長封裝組件。
OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管檢測范圍是1-80nm，有效面積是100mm2，發(fā)貨時帶有保護罩，可以避免元件受損。美國集成薄膜濾光片的光電二極管用于電子檢測，電壓直流反向值10伏，靈敏度0.09-0.15A/W，波長范圍是3-40nm。OptoDiode濾光片光電二極管采用薄膜沉積工藝。
OptoDiode集成薄膜濾光片光敏二極管的型號
| 型號 | 零件編號 | 描述 | 有效面積mm2 | 響應率（A/W） | 波長（nm） | 檢測范圍（nm） |
| AXUV100TF030 | ODD-AXU-019 | 帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管 | 100 | 0.16 | 3 | 1-12 |
| AXUV100TF400 | ODD-AXU-002 | 帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管 | 100 | 0.15 | 40 | 18-80 |
| SXUV100TF135 | ODD-SXU-013 | 帶有直接沉積薄膜濾光片的光電二極管 | 100 | 0.09 | 13.5 | 12-18 |
AXUV100TF400光敏二極管的特點
- 100平方毫米的有效面積
- 波長40納米靈敏度為0.15 A/W
- 檢測范圍：18納米至80納米
- 發(fā)貨時帶有保護罩
AXUV100TF400光敏二極管10mmx10mm測試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在40nm波長下靈敏度典型值是0.15A/W。當VR為±10mV時，分流電阻最小值為20歐姆，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。VR=0V時，電容的典型值是10nF,值是44nF。
AXUV100TF030光敏二極管的特點
- 100平方毫米的有效面積
- 3納米處的靈敏度為0.16 A/W
- 檢測范圍：1納米至12納米
- 發(fā)貨時帶有保護罩
AXUV100TF030光敏二極管在25°C時的電光特性如下。 在10mmx10mm測試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在3nm波長下靈敏度典型值是0.16A/W。當VR為±10mV時，分流電阻最小值為20歐姆，當電阻的電流為IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是5V，典型值是10V。VR=0V時，電容的典型值是10nF,值是44nF。
從典型的靈敏度圖可以看到從波長5nm開始靈敏度隨著波長的增加而減小。
SXUV100TF135光敏二極管的特點
- 100平方毫米的有效面積
- 在13.5納米處靈敏度為0.09 A/W
- 探測范圍12納米至18納米
- 發(fā)貨時帶有保護罩
SXUV100TF135光敏二極管在10mmx10mm測試條件下，有效面積的典型值是100mm2。在13.5nm波長下靈敏度最小值是0.08A/W，典型值是0.09A/W，值0.1A/W。當VR=15V時，暗電流典型值是8nA，值是25nA。當IR=1µA時，反向擊穿電壓最小值是25V。VR=0V時，電容的最小值是0.8nF，典型值是1nF，值是1.2nF。VR=12V時，電容的最小值是220pF，典型值是260pF，值是350pF。當RL=50Ω, VR=12V時，上升時間的典型值是30納秒。從波長與靈敏度的關系圖中可以看到在集成濾光片在13.5nm波長后靈敏度的值是下降的。
