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晶閘管模塊擎柱電流測試儀

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  • 型號
  • 品牌其他品牌
  • 所在地西安市
  • 更新時間2025-03-18
  • 廠商性質生產廠家
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晶閘管擎柱電流

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西安智盈電氣科技有限公司成立于2019年,公司地處西安市西咸新區(qū)秦創(chuàng)園國家gaoxinjishu開發(fā)區(qū),本公司是一家集科研開發(fā),生產經營,技術服務為一體具有自主知識產權的gaoxinjishuqiye。公司技術工藝*,檢測手段完善,擁有一批長期從事電力電子技術,自動控制系統(tǒng)與應用,感應加熱技術,微電子技術基礎建設等研究開發(fā)的gaoji工程師和技術人才,實力雄厚,多項產品在行業(yè)中處于一定地位。已通過ISO9001質量管理體系認證,產品廣泛應用于半導體器件研發(fā),電力,鐵路交通,新能源汽車,石油,化工,環(huán)保電子等行業(yè),公司生產的主要產品有功率半導體器件及組件的檢測設備及工藝設備等。公司還致力于發(fā)展系統(tǒng)工程,程序控制。新能源開發(fā)及應用等新技術產業(yè),公司具有較強的技術開發(fā)能力,可根據用戶和市場的需求,提供技術方案,技術咨詢,專業(yè)培訓與服務,奉行技術創(chuàng)新,誠信服務愿與國內外同行及用戶真誠合作共同進入高科技的新時代。

通過我們自己研發(fā)的各種產品,比如像半導體器件測試儀,加快了半導體各類材料、半導體器件和*工藝的開發(fā),完成制程控制、可靠性分析和故障分析;諸如IGBT靜態(tài)參數測試系統(tǒng)、IGBT動態(tài)參數測試系統(tǒng),它們可以滿足對IGBT的大電流、高電壓的測試要求,是檢測半導體器件的關鍵設備;還有像雪崩能量測試儀、晶閘管電參數測試儀、二極管電參數測試儀、功率模塊可靠性測試儀、模塊高溫阻斷試驗設備等產品,做的也是相當的出彩,這就是我對我們的產品十分的有信心,這就是我們團隊所有的力量。質量是企業(yè)長遠生存的根基,是企業(yè)競爭的免死jinpai,質量在心中,責任在肩上,誠信在言行中,相信我們國標標準,控在品質!

多年來,公司與時俱進,產品銷往全國各地,據不wanquan統(tǒng)計,有深圳華為技術有限公司、蘇州華為技術有限公司、深圳比亞迪股份有限公司、深圳華科智源科技有限公司、廣東慧核工業(yè)器材有限公司、安徽長飛*半導體有限公司、天津中科方德科技有限公司、江蘇揚杰半導體有限公司、新飛宇電子科技有限公司、揚州國宇電子有限公司、國網電力科學研究院有限公司、大連東芝電力機車、清華大學、南京大學、華北電力大學等一些國有大型企業(yè)與之合作,經過我們的不時努力和追求,也博得了眾多企業(yè)的認可和好評。追求yongbu停步,創(chuàng)新永無止境,為取得長足發(fā)展,公司會以優(yōu)質的產品、前沿的技術和周到的服務來回饋用戶,為社會的科技進步作出貢獻!

測試設備:針對IGBT的靜態(tài)參數而研發(fā)的智能測試系統(tǒng),自動快速測試可以滿足用戶大生產需要,故障率低,也保證了用戶的生產效率,使用簡潔方便。

本實用新型公開了一種自動壓力機夾具,包括水平設置在壓力機上的多對夾臂,在所述每對夾臂相對的夾持面上均設置有橡膠墊.本實用新型優(yōu)點在于將夾臂的夾持面上設置有橡膠墊,這樣當夾具夾持耐火磚時由于有橡膠墊的緩沖,不僅能夠方便的夾取磚體,而且對耐火磚起到一定的保護作用,有效防止了耐火磚夾裂或夾破,減少了耐火磚的破損率.

核心業(yè)務為半導體功率器件測試設主要有:

MOSFET參數測試設備:

靜態(tài)參數測試(包括IGSS / BVR / VDSSat / IDSS / VGSTH / VF / RDSon));動態(tài)參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);雪崩能力測試,老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。

IGBT參數測試設備:

靜態(tài)參數測試(包括IGE / VGE(th) / VCEsat / VF / ICE / VCE);動態(tài)參數(開通關斷/反向恢復/短路/安全工作區(qū))測試(包括Turn_on&off / Qrr_FRD / Qg / Rg / UIS / SC / RBSOA 等);老化及可靠性測試(HTRB / HTGB)。

二極管及可控硅/晶閘管(SCR)參數測試設備:

靜態(tài)參數測試(包括IGT/VGT / IH / VTM / VD/ID / VR/IR / dv/dt / IL );動態(tài)參數測試(Turn_on&off / Qrr_FRD);浪涌參數測試ITSMdi/dt測試;老化及可靠性測試(高溫阻斷);熱阻參數測試Rth。

產品以高度集成化、智能化、高速高精度、超寬測試范圍等競爭優(yōu)勢,將廣泛應用于IDM廠商、器件設計、制造、封裝廠商及高校研究所等。





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產地國產 加工定制
晶閘管模塊擎柱電流測試儀該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中的專用測試設備,該套測試設備主要有以下幾個單元組成:
1)門極觸發(fā)參數測試單元
2)維持電流測試單元
3)阻斷參數測試單元
4)通態(tài)壓降參數測試單元
5)電壓上升率參數測試單元
6)擎住電流
7)門極電阻
8)計算機控制系統(tǒng)
9)合格證標簽打印
10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
晶閘管模塊擎柱電流測試儀 產品詳情

一、產品簡介
該測試系統(tǒng)是晶閘管靜態(tài)參數檢驗測試中的專用測試設備。
該套測試設備主要有以下幾個單元組成:
1)門極觸發(fā)參數測試單元
2)維持電流測試單元
3)阻斷參數測試單元
4)通態(tài)壓降參數測試單元
5)電壓上升率參數測試單元
6)擎住電流
7)門極電阻
8)計算機控制系統(tǒng)
9)合格證標簽打印
10)夾具單元;包含平板夾具和模塊夾具
二、技術條件
主要技術指標:
2.1 門極觸發(fā)電壓/門極觸發(fā)電流測試單元IGT/VGT
1.陽極電壓:12V;
2.陽極串聯電阻:6Ω;
3.門極觸發(fā)電壓:0.3~5.00V±3%±10mV;
4.門極觸發(fā)電流:2~450mA±3%±1 mA;
2.2 維持電流測試單元IH
1. 陽極電壓:12V;
2.預導通電流: >10A,正弦衰減波;
3.維持電流: 2~450mA ±5%±1 mA;
4.測試頻率:單次;
2.3 通態(tài)壓降測試單元VTM
1.平板器件通態(tài)電流:0.10~5.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
2.模塊器件通態(tài)電流:0.10~2.00kA,分辨率:0.01kA,精度±1 0A±5%;
3. 電流上升沿時間:≥5ms;
4. 通態(tài)壓降測試范圍: 0.20~10.00V, 分辨率:0.01V,精度±0.1 V±5%;
5. 測試頻率:單次;
2.4 斷態(tài)電壓/斷態(tài)漏電流VD/ID;反向電壓/反向漏電流VR/IR測試單元
1.阻斷電壓:0.20~6.00kV,分辨率:0.01kV,精度±0.1 kV±3%;
模塊單元阻斷電壓:0.20~4.00kV
2. 正反向自動測試:
3.正/反向漏電流:0.2~100 mA,分辨率:0.1 mA;
精度:±5%±1 mA;
4. 輸出保護電壓和電流可計算機設定范圍值;在測試時電壓或漏電流超過所 設定的范圍則自動保護。
5. 測試頻率: 50HZ
2.5 斷態(tài)電壓臨界上升率測試單元dv/dt
1.電壓:1200V,1600V,2000V三檔,分辨率:1V,精度±5%;
2. 電壓過沖范圍:<50V±10%
3. DV/DT電壓上升率三擋選擇:dv/dt:800V/μs、1000V/μs、1200V/μs、精度±10%;
2.6 擎住電流IL:100-1800mA
2.7 平板夾具壓力范圍:6-60KN,氣動加壓方式
三、功能概述
3-1測試功能范圍
該套測試設備主要可測試以下參數:
1.門極參數測試:VGT、IGT
2.維持電流測試:IH
3.阻斷參數測試:本測試單元可用以測量晶閘管的VDRM、VRRM、IDRM、IRRM以及整流二極管的VRRM、IRRM等參數。
4.壓降單元
本測試單元用來測量晶閘管、整流管的VTM、ITM、VFM、IFM等參數。
5、電壓上升率參數測試:dv/dt
6、擎住電流IL
7、門極電阻:適合門極觸發(fā)電壓在0.95V以上器件測試
3-2、測試方法和測試準則及原理滿足 IEC 60747-6-2000 中關于晶閘管測試的具體規(guī)定。



































































































































































































































































































































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