無(wú)掩模紫外光刻機(jī)
l 微米高分辨率投影光刻
l 無(wú)需掩模板實(shí)現(xiàn)任意圖案刻寫(xiě)，所見(jiàn)即所得，即用即刻
l 200mm行程拼接，100nm拼接精度
l 可視化指引光斑，支持套刻
l 全自動(dòng)操作，圖形縮放、旋轉(zhuǎn)、定位、掃描拼接均通過(guò)軟件完成
紫外投影光刻通過(guò)將特定形狀的光斑投射到器件表面涂敷的光刻膠上，光刻膠被輻照區(qū)域產(chǎn)生化學(xué)變化，在曝光、顯影后即可形成微米精度的圖樣；通過(guò)進(jìn)一步的刻蝕或蒸鍍，最終可在樣品表面形成所需要的結(jié)構(gòu)。作為材料、器件、微結(jié)構(gòu)與微器件常用的制備技術(shù)，紫外投影光刻被廣泛用于維納結(jié)構(gòu)制備、半導(dǎo)體器件電極制備、太赫茲/毫米波器件制備、光學(xué)掩模版制備、PCB制造等應(yīng)用中。
常規(guī)紫外投影光刻機(jī)需要先制作掩模板，耗材成本高、制備周期長(zhǎng)，很難滿(mǎn)足材料器件實(shí)驗(yàn)室對(duì)靈活性和實(shí)驗(yàn)進(jìn)度的要求。近年發(fā)展起來(lái)的無(wú)掩膜光刻技術(shù)突破這一技術(shù)限制，實(shí)現(xiàn)任意形狀編程、全自動(dòng)高精度大尺度拼接的無(wú)掩膜光刻，隨時(shí)將您的設(shè)計(jì)轉(zhuǎn)化為實(shí)際的成品，大幅度減少研制測(cè)試周期，強(qiáng)有力的助攻維納微納器件制備的“臨門(mén)一腳”。
TuoTuo科技基于多年微納結(jié)構(gòu)制備經(jīng)驗(yàn)，自主研發(fā)高均勻度紫外光源，高保真指引光路，高精度、大行程、大承載納米位移臺(tái)等核心技術(shù)，結(jié)合高穩(wěn)定機(jī)械結(jié)構(gòu)、自動(dòng)化和軟件設(shè)計(jì)，推出全自動(dòng)高精度無(wú)掩模光刻機(jī)。
無(wú)掩模紫外光刻機(jī)特性和使用
l 高分辨率
專(zhuān)有設(shè)計(jì)的投影光路確保亞微米的刻寫(xiě)精度：
圖1 樣例電極在5x - 100x顯微鏡下的圖樣
l 所見(jiàn)即所得
圖2 刻寫(xiě)過(guò)程說(shuō)明
圖2為刻寫(xiě)過(guò)程的簡(jiǎn)要說(shuō)明。樣品表面旋涂光刻膠后置入光刻機(jī)，需刻寫(xiě)圖案以位圖方式導(dǎo)入軟件。指引光將在樣品的試試圖像上指示即將刻寫(xiě)的為止，可通過(guò)軟件將圖像平移/縮放/旋轉(zhuǎn)，以調(diào)節(jié)刻寫(xiě)為止。經(jīng)過(guò)刻寫(xiě)、顯影及后處理，即可獲得需要的微結(jié)構(gòu)。
圖3 套刻功能
在已有結(jié)構(gòu)的樣品上增刻新的結(jié)構(gòu)通常稱(chēng)為“套刻”；通過(guò)指引光可以方便的指引即將刻寫(xiě)的位置，并可通過(guò)軟件進(jìn)行角度、尺寸等調(diào)整，調(diào)整完成后即可將新結(jié)構(gòu)的套刻至原結(jié)構(gòu)之上。
l 高精度拼接功能
圖4 拼接功能；右下圖為全幅待刻寫(xiě)圖樣，左下圖為單次曝光區(qū)域
單次曝光能夠刻寫(xiě)的區(qū)域受顯微物鏡視場(chǎng)限制，高分辨刻寫(xiě)時(shí)刻寫(xiě)區(qū)域較小。大區(qū)域、高分辨刻寫(xiě)時(shí)，系統(tǒng)通過(guò)樣品平移掃描的方式進(jìn)行拼接刻寫(xiě)。
拼接刻寫(xiě)是自動(dòng)化的，用戶(hù)只需要導(dǎo)入所需要的圖形即可?？墒褂密浖?duì)圖形進(jìn)行縮放、旋轉(zhuǎn)、平移等操作，以實(shí)現(xiàn)理想的定位和尺寸。
拼接所采用的高精度平移臺(tái)保證±100nm的定位精度，確保亞微米尺度光刻的無(wú)縫過(guò)渡。拼接尺寸可達(dá)200mm。
無(wú)掩模光刻系統(tǒng)的圖樣可以實(shí)時(shí)調(diào)整，所以拼刻的圖形可以是任意形狀的而不限于周期圖樣。
l 高級(jí)功能
電動(dòng)Z軸平移及自動(dòng)對(duì)焦：可方便用戶(hù)對(duì)焦，并實(shí)現(xiàn)對(duì)表面凹凸、傾斜樣品的準(zhǔn)確刻寫(xiě)；
環(huán)境防護(hù)：標(biāo)配UV防護(hù)功能；標(biāo)配機(jī)箱除濕功能，確保長(zhǎng)時(shí)間自動(dòng)光刻時(shí)樣品不受濕度變化影響；
灰度刻寫(xiě)功能：支持對(duì)區(qū)域的曝光量進(jìn)行設(shè)定，實(shí)現(xiàn)灰度刻寫(xiě)；
訂制手套箱兼容的光刻系統(tǒng)，樣品自旋涂-曝光-顯影-后處理均在手套箱內(nèi)完成，適用于對(duì)氧氣敏感的樣品；
圖5 已交互客戶(hù)的手套箱內(nèi)UV光刻系統(tǒng)示意圖
- 技術(shù)支持與試樣、試用
力足國(guó)內(nèi)，提供從售前至售后全天候技術(shù)支持。歡迎您隨時(shí)預(yù)約參觀試用儀器，或聯(lián)系我司試樣
主要技術(shù)指標(biāo)
| 手動(dòng)版 | 標(biāo)準(zhǔn)板 | |
曝光波長(zhǎng) | 405nm | 385 nm/405nm可選 | |
光源強(qiáng)度 | 不低于 18 W | 不低于 14 W 不低于 18 W | |
曝光精度 | 5X 物鏡 | 8微米（確保值） | 8微米（確保值） |
20X 物鏡 | 2微米（確保值） | 2微米（確保值） | |
50X物鏡 | NA | 1微米 （確保值） 0.6微米（優(yōu)值） | |
單次 曝光面積 | 5X 物鏡 | 2 mm * 2mm | 2 mm * 2mm |
20X 物鏡 | 0.5 mm * 0.5 mm | 0.5 mm * 0.5 mm | |
50X物鏡 | NA | 0.2 mm * 0.2 mm | |
灰度曝光 | NA | 支持 | |
套刻 | 有 | 有 | |
套刻對(duì)準(zhǔn)精度 | 3 微米 | 50nm | |
套刻指引 | 460nm/520nm/620 nm | 460nm/520nm/620 nm | |
曝光均勻性 | 畫(huà)幅內(nèi)優(yōu)于85% | 畫(huà)幅內(nèi)優(yōu)于85% | |
支持基片尺寸 | 5毫米 * 5毫米（最?。?/span> 20毫米*20毫米（） | 5毫米 * 5毫米（最?。?/span> 150毫米*150毫米（） | |
拼接臺(tái)位移精度 | NA | 50 納米（直線光柵尺精度） | |
拼接臺(tái)行程 | 手動(dòng)位移臺(tái) 12 mm （X-Y-Z) | 精密電控位移臺(tái) 100mm （X-Y)、25mm（Z 軸） | |
軟件 | 基于LabView的操作軟件 | 基于LabView的全自動(dòng)軟件 | |
設(shè)備尺寸 | 70 厘米 × 70厘米 × 70厘米 | ||
設(shè)備重量 | 60 千克 | 100 千克 | |
設(shè)備外殼 | UV防護(hù)外殼、內(nèi)部集成除濕設(shè)備 | ||
