LINSEIS L75V 垂直模式熱膨脹儀系列的開發(fā)是為了滿足世界各地學(xué)術(shù)界和實驗室研究的需求。該系列熱膨脹儀可以測定固體、液體、粉末和膠體的熱膨脹系數(shù)。由于垂直系統(tǒng)的“零摩擦”的設(shè)計保證了測量結(jié)果的準(zhǔn)確性，該系統(tǒng)的的垂直設(shè)計適合低或超低膨脹系數(shù)材料。該系列熱膨脹儀能夠在真空條件下，氧化性和還原性氣氛中測量。

       該系統(tǒng)可以用于單樣品或差示條件下測量以獲得更高的精度或樣品通量。該系列熱膨脹儀的可選機(jī)械和電子部件便于拆卸在手套箱中的測量。

新低溫爐配件：溫度可降至10K

       LINSEIS L75垂直超低溫操作系統(tǒng)（零摩擦）。該系統(tǒng)提供一個寬泛的溫度范圍（-260°C ——+220°C ），多種樣品支架可選。在真空或程序控制的氧化環(huán)境或還原環(huán)境中進(jìn)行測量時，仍能保證高精度和易操作性。

可以測量以下的物理性質(zhì)：

熱膨脹系數(shù)，線性熱膨脹，物理熱膨脹，燒結(jié)溫度，相變，軟化點，熱分解溫度，玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。

所有的LINSEIS熱分析設(shè)備都是用計算機(jī)控制的，各個軟件模塊僅在Microsoft® Windows®操作系統(tǒng)上運行。完整的軟件包括3個模塊：溫度控制，數(shù)據(jù)采集和數(shù)據(jù)分析。與其他熱分析系統(tǒng)一樣，該用于熱膨脹測量的32位Linseis軟件可以實現(xiàn)所有測量準(zhǔn)備、實施和評估的基本功能。經(jīng)過專家和應(yīng)用工程師的努力，LINSEIS開發(fā)出這款容易操作且實用的軟件。

特點

文本編輯

斷電保護(hù)

熱電偶破損保護(hù)

重復(fù)測量可最少的輸入?yún)?shù)

實時測試評估

測量曲線比較：多達(dá)32條曲線

評估結(jié)果保存及導(dǎo)出

ASCII數(shù)據(jù)導(dǎo)入與導(dǎo)出

數(shù)據(jù)生成到MS Excel

多種方法分析（DSC TG 、TMA、DIL等）

一階/二階求導(dǎo)

氣氛程序控制

統(tǒng)計評估

自由調(diào)節(jié)坐標(biāo)軸

DIL-特點

玻璃轉(zhuǎn)變點及軟化點評估

軟化點判定及系統(tǒng)保護(hù)

顯示相對/收縮或膨脹曲線

顯示和計算工程/物理膨脹系數(shù)

燒結(jié)速率控制（RCS）軟件

燒結(jié)過程分析

半自動分析功能

多系統(tǒng)校正功能

自動歸零

軟件自動控制調(diào)節(jié)樣品壓力

以下是我們提供配件的簡要摘錄：

爐體選擇：

• L75V Cryo -260°C —— +220°C

• L75V 500LT -180°C —— +500°C

• L75V 700LT -180°C —— +700°C

• L75V 1000LT -180°C —— +1000°C

• L75V 1000 RT —— 1000°C

• L75V 1400 RT —— 1400°C

• L75V 1550 RT —— 1600°C

• L75V 1750 RT —— 1750°C

• L75V 2000 RT —— 2000°C

• L75V 2400 RT —— 2400°C

• L75V 2800 RT —— 2800°C

附件：

• 樣品制備設(shè)備

• 不同類型的真空渦輪分子泵

• 不同類型（設(shè)計/材質(zhì)）的樣品架

• 通過游標(biāo)卡尺對試樣長度的在線輸入

• 通過轉(zhuǎn)臺配置多爐體

• 可選多達(dá)4種氣體的混氣箱

• 各種旋轉(zhuǎn)式和渦輪分子泵

• 可在氫氣環(huán)境下運行

材料

聚合物，陶瓷/玻璃/建材，金屬/合金，無機(jī)物

工業(yè)領(lǐng)域

陶瓷，建材和玻璃工業(yè)，汽車/航空/航天，企業(yè)研發(fā)和學(xué)術(shù)科研，金屬/合金工業(yè)，電子工業(yè)

玻璃陶瓷

該熱膨脹儀是用于確定玻璃陶瓷材料熱膨脹系數(shù)（CTE）和軟化點的優(yōu)良方法。除了可以得到膨脹和膨脹系數(shù)（CTE），還可以獲得膨脹的一階導(dǎo)數(shù)。一階導(dǎo)數(shù)為零時可以確定熱膨脹的值和材料的軟化點。

陶瓷/粉末冶金

在高科技陶瓷生產(chǎn)過程中，對燒結(jié)過程模擬引起人們的廣泛興趣。當(dāng)使用可選軟件包——燒結(jié)速率控制軟件（RCS）時，根據(jù)PALMOUR III理論可以利用膨脹儀進(jìn)行編程控制燒結(jié)。以下是氧化鋯的燒結(jié)過程。最終獲得100％的密度。在達(dá)到最終密度時初始加熱速率也隨之降低。