應(yīng)用:高真空晶圓鍵合平臺(tái)促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價(jià)鍵合
一、簡(jiǎn)介
EVG ComBond高真空晶圓鍵合平臺(tái)(晶圓鍵合機(jī))標(biāo)志著EVG的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個(gè)新里程碑,可滿足市場(chǎng)對(duì)更復(fù)雜的集成工藝的需求。EVG ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括*的工程襯底,堆疊的太陽能電池和功率器件到MEMS封裝,高性能邏輯和“beyond CMOS”器件。EVG ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計(jì)提供了高度靈活的平臺(tái),可以針對(duì)研發(fā)和高通量,大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制。EVG ComBond(晶圓鍵合機(jī))促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)(CTE)的異質(zhì)材料的鍵合,并通過其的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成。EVG ComBond(晶圓鍵合機(jī))高真空技術(shù)還可以實(shí)現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合,這些金屬在周圍環(huán)境中會(huì)迅速重新氧化。對(duì)于所有材料組合,都可以實(shí)現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。
二、特征
- 高真空,對(duì)準(zhǔn),共價(jià)鍵合
- 在高真空環(huán)境(<5·10 -8 mbar)中進(jìn)行處理
- 原位亞微米面對(duì)面對(duì)準(zhǔn)精度
- 高真空MEMS和光學(xué)器件封裝原位表面和原生氧化物去除
- 優(yōu)異的表面性能
- 導(dǎo)電鍵合
- 室溫過程
- 多種材料組合,包括金屬(鋁)
- 無應(yīng)力鍵合界面
- 高鍵合強(qiáng)度
- 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng)
- 多達(dá)六個(gè)模塊的靈活配置
- 基板尺寸為200毫米
- *自動(dòng)化
三、技術(shù)數(shù)據(jù)
- 真空度
處理:<7E-8 mbar
處理:<5E-8毫巴
- 集群配置
處理模塊:最小3個(gè),6個(gè)
加載:手動(dòng),卡帶,EFEM
- 可選的過程模塊:
(晶圓鍵合機(jī))鍵合模塊
ComBond ®激活模塊(CAM)
(晶圓鍵合機(jī))烘烤模塊
真空對(duì)準(zhǔn)模塊(VAM)
- 晶圓直徑:高達(dá)200毫米