單晶硅壓力變送器報(bào)價(jià)
工作原理
單晶硅遠(yuǎn)傳差壓變送器 傳感器模塊采用全焊接技術(shù),內(nèi)部擁有一個(gè)整體化的過(guò)載膜片,一個(gè)壓力傳感器和一個(gè)溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓力傳感器的正壓?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連,傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連,壓力通過(guò)隔離膜片和填充液,傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片,使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化,從而導(dǎo)致檢測(cè)系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比,再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號(hào)輸出。
傳感器模塊采用全焊接技術(shù),內(nèi)部擁有一個(gè)整體化的過(guò)載膜片,一個(gè)壓力傳感器和一個(gè)溫度傳感器。溫度傳感器作為溫度補(bǔ)償?shù)膮⒖贾?。壓力傳感器的正壓?cè)與傳感器膜盒的高壓腔相連,傳感器的負(fù)壓側(cè)與傳感器膜盒的低壓腔相連,壓力通過(guò)隔離膜片和填充液,傳遞給傳感器內(nèi)的硅芯片,使壓力傳感器的芯片的阻值發(fā)生變化,從而導(dǎo)致檢測(cè)系統(tǒng)輸出電壓變化。該輸出電壓與壓力變化成正比,再由適配單元和放大器轉(zhuǎn)化成一標(biāo)準(zhǔn)化信號(hào)輸出。
單晶硅壓力變送器報(bào)價(jià)
功能參數(shù)
在量程的上下限范圍內(nèi),可以任意設(shè)置,只要標(biāo)定量程≥設(shè)置量程。 建議選擇量程比盡可能低的量程,以優(yōu)化性能。 | |
安裝位置的變化,會(huì)發(fā)生零位影響,可以通過(guò)調(diào)零校正,無(wú)量程影響。 | |
兩線制4-20mA,符合NAMIR NE43規(guī)范,疊加數(shù)字信號(hào)(Hart協(xié)議) | |
Imin(最?。?3.9mA Imax()=21.0mA | |
低報(bào)模式(最?。?.9mA 高報(bào)模式():21mA (用戶可預(yù)設(shè)定) | |
高報(bào)模式 | |
如果傳感器或電路出現(xiàn)故障,自動(dòng)診斷功能自動(dòng)輸出22.0mA | |
放大器部件阻尼常數(shù)為0.1s;傳感器時(shí)間常數(shù)為0.1~1.6s,取決于量程及量程比。 附加的可調(diào)時(shí)間常數(shù)為:0~100s | |
<15s |
電磁兼容性(EMC)
A、射頻輻射試驗(yàn) 3V/m | 80MHz-1GHz | 正立 | 水平極化 | 受試樣品內(nèi)存數(shù)據(jù)不變 |
垂直極化 | 受試樣品內(nèi)存數(shù)據(jù)不變 |
400A/m(X、Y、Z) | 受試樣品內(nèi)存數(shù)據(jù)不變 |
產(chǎn)品裝配分解圖
外型尺寸
表壓范圍和量程
A | -6~6 | 0~1~6 | 量程±0.075%F.S/每年 誤差為量程的±0.1% (不含A量程) |
B | -40~40 | 0~6~40 | |
C | -100~100 | 0~40~100 | |
D | -100~400 | 0~100~400 | |
E | -100~4000 | 0~400~4000 | |
F | -100~40000 | 0~4000~40000 |