測(cè)試原理 / Test Principle
在液氮溫度下（77.3K），向樣品管內(nèi)通入一定
量的吸附質(zhì)氣體（N2），通過(guò)控制樣品管中的平
衡壓力直接測(cè)得吸附分壓，通過(guò)氣體狀態(tài)方程PV=nR 品的比表面積，逐漸投入吸附質(zhì)氣體增大吸附平衡壓力，得到吸附等溫線；通過(guò)逐漸抽出吸附質(zhì)氣體降低吸附平衡壓力，得到脫附等溫線，再通過(guò)吸附脫附等溫線的數(shù)據(jù)計(jì)算得到樣品的孔徑大小，孔體積，孔徑分布等信息。T，得到該分壓點(diǎn)的吸附量；再通過(guò)BET或Langmuir等理論公式計(jì)算可得到樣
相對(duì)動(dòng)態(tài)法，無(wú)需載氣（He），無(wú)需液氮杯反復(fù)升降；由于待測(cè)樣品是在固定容積的樣品管中，吸附質(zhì)相對(duì)動(dòng)態(tài)色譜法不流動(dòng)，故叫靜態(tài)容量法；
注：77.3K=-195.85℃
相對(duì)動(dòng)態(tài)法，無(wú)需載氣（He），無(wú)需液氮杯反復(fù)升降；由于待測(cè)樣品是在固定容積的樣品管中，吸附質(zhì)相對(duì)動(dòng)態(tài)色譜法不流動(dòng)，故叫靜態(tài)容量法；
注：77.3K=-195.85℃
P：壓力 V:體積 n：物質(zhì)的量 T:溫度 R： 8.314 J?Mol-1?K-1
技術(shù)參數(shù) / Technical Parameter
◆ 測(cè)試功能：比表面積，孔結(jié)構(gòu)及其他氣體吸附性能評(píng)價(jià)
◆ 吸附質(zhì)種類：各種非腐蝕性氣體測(cè)試
◆ 測(cè)試范圍：比表面積0.0001㎡/g以上，孔徑0.35-500nm
◆ 分析位數(shù)量：1/2/4個(gè)分析位；
◆ 脫氣站數(shù)量：2/4個(gè)預(yù)處理站可選；
◆ 獨(dú)立性：測(cè)試系統(tǒng)和脫氣系統(tǒng)相互獨(dú)立，樣品的測(cè)試過(guò)程和脫氣處理可同時(shí)進(jìn)行；
◆ 測(cè)試精度：比表面積≤±1.0%、最可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02nm、真密度 ≤±0.04%、外表面積≤±1.5
◆ 獨(dú)立P0站：具有技術(shù)的獨(dú)立螺旋狀飽和蒸汽壓(P0)測(cè)試站，保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性
◆ 程序升溫脫氣：軟件控制程序升溫，室溫-400℃，精度優(yōu)于0.1℃；
◆ 極限真空：
PS系列：(Atlas copco，原英國(guó)愛(ài)德華)雙級(jí)機(jī)械真空泵，真空度4*10-2 Pa，
PＭ系列：１臺(tái)德國(guó)愛(ài)德華渦輪分子泵＋２臺(tái)機(jī)械泵，P/P0低至10-8
◆ 壓力測(cè)量：
◆ 吸附質(zhì)種類：各種非腐蝕性氣體測(cè)試
◆ 測(cè)試范圍：比表面積0.0001㎡/g以上，孔徑0.35-500nm
◆ 分析位數(shù)量：1/2/4個(gè)分析位；
◆ 脫氣站數(shù)量：2/4個(gè)預(yù)處理站可選；
◆ 獨(dú)立性：測(cè)試系統(tǒng)和脫氣系統(tǒng)相互獨(dú)立，樣品的測(cè)試過(guò)程和脫氣處理可同時(shí)進(jìn)行；
◆ 測(cè)試精度：比表面積≤±1.0%、最可幾孔徑重復(fù)偏差≤0.02nm、真密度 ≤±0.04%、外表面積≤±1.5
◆ 獨(dú)立P0站：具有技術(shù)的獨(dú)立螺旋狀飽和蒸汽壓(P0)測(cè)試站，保證分壓測(cè)試的高準(zhǔn)確性
◆ 程序升溫脫氣：軟件控制程序升溫，室溫-400℃，精度優(yōu)于0.1℃；
◆ 極限真空：
PS系列：(Atlas copco，原英國(guó)愛(ài)德華)雙級(jí)機(jī)械真空泵，真空度4*10-2 Pa，
PＭ系列：１臺(tái)德國(guó)愛(ài)德華渦輪分子泵＋２臺(tái)機(jī)械泵，P/P0低至10-8
◆ 壓力測(cè)量：
PS系列：每個(gè)測(cè)試位各1支 0-1000 torr壓力傳感器;
PM系列：每個(gè)測(cè)試位配多支0-1 torr以及0-1000 Torr壓力傳感器（0-0.1Torr可選）
特征結(jié)構(gòu) / Feature Structure
典型報(bào)告 / Testing Report:
技術(shù) / Relevant Information
BSD用戶論文 / BSD User Paper
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相關(guān)資料 / ?Relevant Information:
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