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Tm,Ho:KYW晶體 激光器件

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  • 型號
  • 品牌
  • 所在地
  • 更新時間2022-11-28
  • 廠商性質(zhì)其他
  • 入駐年限1
  • 實名認(rèn)證已認(rèn)證
  • 產(chǎn)品數(shù)量645
  • 人氣值2644
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Ho 3+離子的發(fā)射截面和激光能級壽命比Tm 3+離子更高,但是由于Ho 3+不具有與商用激光二極管的輸出*匹配的強吸收線,因此通常選擇Ho 3+與Tm 3+離子共摻雜以實現(xiàn)有效操作。因此,optogama設(shè)計了Tm,Ho:KYW晶體。
Tm,Ho:KYW晶體 激光器件 產(chǎn)品詳情

 激光晶體,Tm,HoKYW晶體

 

Optogama開發(fā)了不同的激光晶體主機和離子摻雜劑組合,用于基礎(chǔ)研究和工業(yè)應(yīng)用。激光晶體-有源激光介質(zhì)是激光內(nèi)部光學(xué)增益的來源,激光晶體或激光玻璃通常摻雜稀土離子(例如釹、鐿或鉺)或過渡金屬離子(鈦或鉻)。為了激發(fā)激光,有源增益介質(zhì)必須處于非熱能分布中,即粒子數(shù)反轉(zhuǎn)。

Tm,Ho:KYW晶體是一種比較有特色的激光晶體,與Tm3 +離子相比,Ho3 +離子通常具有更高的發(fā)射截面和更長的較高激光能級壽命。這些特征對于低閾值和有效的激光操作特別理想。但是,人們認(rèn)識到,由于Ho3 +不具有與市售激光二極管的輸出*匹配的強吸收線,因此通常選擇Ho3 +Tm3 +離子共摻雜以實現(xiàn)在2μm光譜范圍內(nèi)有效工作。Tm-Ho系統(tǒng)中的能量傳遞路徑。 TmHoKYW晶體的特征是大而寬的極化吸收和發(fā)射帶,有效的能量傳遞Tm3 +Ho3 +。

 

Tm,HoKYW晶體主要特點:

-大而寬的偏振吸收和發(fā)射帶

-有效能量傳遞TM3+Ho3+

-高摻雜濃度低濃度淬火

-可根據(jù)要求提供定制水晶

 

Tm,HoKYW晶體主要應(yīng)用:

      - 2μm型遙感激光器(激光雷達(dá)技術(shù))、計量和醫(yī)療應(yīng)用

-中紅外光學(xué)參量振蕩器的泵浦源。

 

TmHoKYW晶體技術(shù)特性:

吸收峰波長

802 nm

峰值吸收截面

7.6×10-20厘米2

峰值吸收帶寬

~4nm

激光波長

2060 nm

57能級時間

1.8毫秒

發(fā)射截面@2056 nm

4.7×10-20厘米2

折射率@1040 nm

ng=2.05,nm=2.01,np=1.97

晶體結(jié)構(gòu)

單斜

密度

6.5/cm3

Mohs硬度

4-5

熱導(dǎo)率

~3.3Wm-1K-1

DN/DT

DNm/dt=-9.2×10-6 K-1

熱膨脹系數(shù)

αp=1.83×10-6 K-1、αm=10.29×10-6 K-1
αg=15.94×10-6 K-1

典型摻雜水平

5%[TM],0.5%[HO]

Tm,HoKYW晶體的吸收和發(fā)射曲線


Tm,HoKYW晶體產(chǎn)品規(guī)格:

定向

Ng-切割

透明孔徑

>90%

面尺寸公差

+0/-0.1毫米

長度公差

±0.1毫米

平行度誤差

<10 arcsec

垂直度誤差

<10 arcmin

保護(hù)槽

<0,1 mm at 45?

表面質(zhì)量

10-5 S-D

表面平整度

<λ/10@6328 nm

涂層

R<0,5%@802 nm+R<0,15%@2000-2100

利特

>10 J/cm2@2060 nm,10 ns

 

Tm,HoKYW晶體產(chǎn)品型號

SKU

面尺寸

長度

端面

摻雜

涂層

價格(RMB)

7855

3x3毫米

2毫米

直角切割

TM 5%,Ho 0 5%

AR/Ar@802nm+2000-2100 nm

5600

7856

3x3毫米

2毫米

布魯斯特切

TM 5%Ho 0 5%

無涂層

4400

 

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