超聲波探頭主要分為：直探頭，斜探頭，帶曲率探頭，聚焦探頭，表面波探頭，水浸探頭，雙晶探頭，測(cè) 厚 ，高溫探頭等。進(jìn)行垂直探傷用的單晶片探頭，直探頭產(chǎn)生的超聲波為垂直于探頭表面的縱波聲束。
E+H分體式超聲波探頭FDU系列工作原理
E+H分體式超聲波探頭FDU系列超聲波探頭主要材料有壓電晶體（電致伸縮）及鎳鐵鋁合金（磁致伸縮）兩類。電致伸縮的材料有鋯鈦酸鉛（PZT）等。壓電晶體組成的超聲波傳感器是一種可逆?zhèn)鞲衅?，它可以將電能轉(zhuǎn)變成機(jī)械振蕩而產(chǎn)生超聲波，同時(shí)它接收到超聲波時(shí)，也能轉(zhuǎn)變成電能，所以它可以分成發(fā)送器或接收器。有的超聲波傳感器既作發(fā)送，也能作接收。
E+H分體式超聲波探頭FDU系列技術(shù)參數(shù)
1.壓電應(yīng)變常數(shù)d33:
d33=Dt/U在壓電晶片上加U這么大的應(yīng)力,壓電晶片在厚度上發(fā)生了Dt的變化量,d33越大,發(fā)射靈敏度越高。
2.壓電電壓常數(shù)g33:
g33=UP/P在壓電晶片上加P這么大的應(yīng)力.在壓電晶片上產(chǎn)生UP這么大的電壓,g33越大,接收靈敏度越高。
3.介電常數(shù)e:
e=Ct/A[C-電容、t-極板距離(晶片厚度)、A-極板面積(晶片面積)];
C小→e小→充、放電時(shí)間短.頻率高。
4.機(jī)電偶合系數(shù)K:
表示壓電材料機(jī)械能(聲能)與電能之間的轉(zhuǎn)換效率。
對(duì)于正壓電效應(yīng):K=轉(zhuǎn)換的電能/輸入的機(jī)械能。
對(duì)于逆壓電效應(yīng):K=轉(zhuǎn)換的機(jī)械能/輸入的電能.
晶片振動(dòng)時(shí),厚度和徑向兩個(gè)方向同時(shí)伸縮變形,厚度方向變形大,探測(cè)靈敏度高,徑向方向變形大,雜波多,分辨力降低,盲區(qū)增大,發(fā)射脈沖變寬.（講義附件16、19題部分答案）。
聲 速: 324.0 M/S 工件厚度: 16.00MM 探頭頻率: 2.500MC
探頭K值: 1.96 探頭前沿: 7.00MM 坡口類型: X
坡口角度: 60.00 對(duì)焊寬度: 2.00MM 補(bǔ) 償: -02 dB
判 廢: +05dB 定 量: -03dB 評(píng) 定: -09 dB
焊口編號(hào): 0000 缺陷編號(hào): 1. 檢測(cè)日期: 05.03.09
聲 速: 324.0 M/S 工件厚度: 16.00 MM 探頭頻率: 5.00 MC
探頭K值: 1.95 探頭前沿: 7.00 MM 坡口類型: X
坡口角度: 60.00 對(duì)焊寬度: 2.00 MM 補(bǔ) 償: -02 dB
判 廢: +05 dB 定 量: -03 dB 評(píng) 定: -09 dB
焊口編號(hào): 0000 缺陷編號(hào): 1. 檢測(cè)日期: 05.03.09
5.機(jī)械品質(zhì)因子qm:
qm=E貯/E損,壓電晶片諧振時(shí),貯存的機(jī)械能與在一個(gè)周期內(nèi)(變形、恢復(fù))損耗的能量之比稱……損耗主要是分子內(nèi)摩擦引起的。
qm大,損耗小,振動(dòng)時(shí)間長(zhǎng),脈沖寬度大,分辨力低。
qm小,損耗大,振動(dòng)時(shí)間短,脈沖寬度小,分辨力高。
6.頻率常數(shù)Nt:
Nt=tf0,壓電晶片的厚度與固有頻率的乘積是一個(gè)常數(shù),晶片材料一定,厚度越小,頻率越高. （講義附件16、19題部分答案）。
7.居里溫度Tc:
壓電材料的壓電效應(yīng),只能在一定的溫度范圍內(nèi)產(chǎn)生,超過(guò)一定的溫度,壓電效應(yīng)就會(huì)消失,使壓電效應(yīng)消失的溫度稱居里溫度(主要是高溫影響)。
8．超聲波探頭的另一項(xiàng)重要指標(biāo)：信噪比---有用信號(hào)與無(wú)用信號(hào)之比必須大于18 dB。
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