ABB+IGBT模塊FS300R12KE3/AGDR-71C
ABB+IGBT模塊FS300R12KE3/AGDR-71C
ABB+IGBT模塊FS300R12KE3/AGDR-71C
ABB+IGBT模塊FS300R12KE3/AGDR-71C
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)模塊,是由(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率 兼有的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動功率小而飽和壓降低。