國電銘科-*TKVLF超低頻高壓發(fā)生器國電銘科-*TKVLF超低頻高壓發(fā)生器
超低頻高壓發(fā)生器型號:TKVLF
名稱:超低頻高壓發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、變頻耐壓高壓發(fā)生器
TKVLF超低頻高壓發(fā)生器又稱超低頻發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流耐壓裝置、30kv至50kV超低頻高壓發(fā)生器及超低頻交流高壓發(fā)生器,超低頻高壓發(fā)生器適用于絕緣等值電容較大的電氣設(shè)備耐壓試驗項目,超低頻高壓發(fā)生器應用于電力電纜、電力電容器、大中型發(fā)電機和電動機等)耐壓試驗,VLF超低頻高壓發(fā)生器符合2004年國家新頒布電力行業(yè)標準《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求。
產(chǎn)品型號:TKVLF 產(chǎn)品名稱:超低頻高壓發(fā)生器
根據(jù)2004年國家新頒布電力行業(yè)標準《超低頻高壓發(fā)生器通用技術(shù)條件 DL/T849.4-2004》要求,電力預防性試驗項目中把電力設(shè)備的耐壓分為工頻耐壓、變頻耐壓和超低頻耐壓,其中0.1HZ超低頻預防性耐壓技術(shù)是電工委員會*的低頻升壓耐壓技術(shù)
超低頻高壓發(fā)生器主要用于大容量的電氣試驗設(shè)備(例如: 電力電纜試驗、 電力電容器試驗、大中型發(fā)電機試驗以及電動機試驗等)的耐壓試驗。超低頻高壓發(fā)生器按功能上分為程控超低頻高壓發(fā)生器和智能超低頻高壓發(fā)生器,按范圍分30kv超低頻高壓發(fā)生器和50kv超低頻高壓發(fā)生器。
超低頻發(fā)生器別稱
超低頻高壓發(fā)生器、0.1Hz超低頻高壓發(fā)生器、程控超低頻高壓發(fā)生器、超低頻交流高壓試驗裝置、超低頻耐壓試驗裝置、智能超低頻高壓發(fā)生器、低頻高壓發(fā)生器、耐壓試驗超低頻高壓發(fā)生器、工頻耐壓高壓發(fā)生器、變頻耐壓高壓發(fā)生器
超低頻發(fā)生器功能
1、電流、電壓、波形數(shù)據(jù)均直接通過高壓側(cè)采樣獲得,所以數(shù)據(jù)真實、準確
2、過壓保護:當輸出超過所設(shè)定的限壓值時,測試儀將停機保護,動作時間小于20毫秒
3、過流保護:設(shè)計為高低壓雙重保護,高壓側(cè)可按設(shè)定值進行精確停機保護;低壓側(cè)的電流超過額定電流時將進行停機保護,動作時間都小于20毫秒
4、高壓輸出保護電阻設(shè)計在升壓體內(nèi),所以外面不需另接保護阻
5、超低頻高壓發(fā)生器采用了高低壓閉環(huán)負反饋控制電路,輸出無容升效應
技術(shù)參數(shù)
TKVLF超低頻高壓發(fā)生器參數(shù)請以產(chǎn)品使用說明書或合同為準
表一:
型號 | 額定電壓 | 帶載能力 | 電源保險管 | 產(chǎn)品重量 |
TKVLF-30KV | 30kV/20mA (峰值) | 0.1Hz≤0.5μF~1.1μF | 5A | 控制器:4㎏ 升壓體:25㎏ |
0.05Hz≤0.5μF~2.2μF | ||||
0.02Hz≤0.5μF~5.5μF | ||||
TKVLF-50KV | 50kV/30mA (峰值) | 0.1Hz≤0.5μF~1.1μF | 7A | 控制器:4㎏ 升壓體:50㎏ |
0.05Hz≤0.5μF~2.2μF | ||||
0.02Hz≤0.5μF~5.5μF | ||||
TKVLF-60KV | 60kV/30mA (峰值) | 0.1Hz≤0.5μF | 9A | 控制器:4㎏ 升壓體1(30kV):25㎏ 升壓體2(30kV):25㎏ |
0.05Hz≤0.5μF~1μF | ||||
0.02Hz≤0.5μF~2.5μF | ||||
TKVLF-80KV | 80kV/30mA (峰值) | 0.1Hz≤0.5μF | 12A | 控制器:4㎏ 升壓體1(30kV):25㎏ 升壓體2(50kV):50㎏ |
0.05Hz≤0.5μF~1μF | ||||
0.02Hz≤0.5μF~2.5μF |
輸出額定電壓 | 參見表1 | |
輸出頻率 | 參見表1 | 0.1Hz,大1.1 μf |
0.05 Hz 大2.2 μf | ||
0.02 Hz 大5.5 μf | ||
測量精度 | 1% | |
電壓正,負峰值誤差 | ≤3% | |
電壓波形失真度 | ≤5% | |
使用條件 | 戶內(nèi)、戶外 | |
溫度 | -10℃~+40℃ | |
濕度 | ≤85%RH | |
電源 | 交流50 Hz,220V ±5% | |
保險管 | 參見表1 |