測量范圍寬、精度高、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作的手持式設(shè)計；

體積僅為：185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)； 重量：350g；

使用鋰電池供電，一次充電可連續(xù)使用100小時；

RTS-3型手持式四探針測試儀是運(yùn)用四探針測量原理的多用途綜合測量設(shè)備。該儀器按照單晶硅物理測試方法國家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國 A.S.T.M 標(biāo)準(zhǔn)而設(shè)計的，于測量硅晶塊、晶片電阻率及擴(kuò)散層、外延層、ITO導(dǎo)電箔膜、導(dǎo)電橡膠等材料方塊電阻的小型儀器。
儀器采用了電子技術(shù)進(jìn)行設(shè)計、裝配。具有功能選擇直觀、測量取數(shù)快、精度高、測量范圍寬、穩(wěn)定性好、結(jié)構(gòu)緊湊、易操作等特點(diǎn)。如有需要可加配測試臺使用。
本儀器適用于半導(dǎo)體材料廠、半導(dǎo)體器件廠、科研單位、高等院校對半導(dǎo)體材料的電阻性能測試。

RTS-3型手持式四探針測試儀技術(shù)指標(biāo)

測量范圍：

電阻率：0.01～1999.9Ω.cm；
方塊電阻：0.1～19999Ω/□；

橫流源 電流量程分為100μA、1mA兩檔，兩檔電流連續(xù)可調(diào)

數(shù)字電壓表 量程及表示形式：000.00～199.99mV； 分辨力：10μV；
輸入阻抗：>1000MΩ； 精度：±0.1%；
顯示：以大屏幕LCD顯示讀數(shù)，直觀清晰；極性、超量程自動顯示；

四探針探頭基本指標(biāo)：間距：1±0.01mm； 針間絕緣電阻：≥1000MΩ； 機(jī)械游移率：≤0.3%；
探針：碳化鎢或高速鋼Ф0.5mm； 探針壓力：5～16 牛頓(總力)；

四探針探頭應(yīng)用參數(shù)：(見探頭附帶的合格證)

模擬電阻測量相對誤差( 按JJG508-87進(jìn)行)：1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字

整機(jī)測量大相對誤差(用硅標(biāo)樣片：0.01-180Ω.cm測試)≤±5%

整機(jī)測量標(biāo)準(zhǔn)不確定度≤5%

外形尺寸：185mm(長)*90mm(寬)*30mm(高)

重量：350g

電源：鋰電池，一次充電可連續(xù)使用100小時；

標(biāo)準(zhǔn)使用環(huán)境：溫度：23±2℃； 相對濕度：≤65%； 無高頻干擾； 無強(qiáng)光直射；