浙江申達(dá) MOS-1 功率場效應(yīng)管測試儀
MOS-1 功率場效應(yīng)管測試儀 概述
MOS-1型功率場效應(yīng)管測試儀，是一種新穎的全數(shù)字顯示式功率場效應(yīng)管參數(shù)測試裝置，可用于標(biāo)稱電流約在2-100A，功率在300W以內(nèi)的N溝導(dǎo)和P溝導(dǎo)功率場效應(yīng)管主要參數(shù)的測試。它可以準(zhǔn)確測量擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS（th）和放大特性參數(shù)跨導(dǎo)Gfs，尤其是跨導(dǎo)Gfs的測試電流可以達(dá)到50A，由于采用脈沖電流測試法，即使在大電流測試時(shí)也不會對被測器件造成任何損壞，更可以在大電流狀態(tài)下對場效應(yīng)管進(jìn)行參數(shù)一致性的測試（配對）；
儀器*可用于同等電流等級的IGBT參數(shù)的測量；儀器還是一臺性能十分*的電子元器件耐壓測試裝置，其測試耐壓時(shí)的漏電流有1mA、250uA、25uA 三擋可以選擇。儀器主要用于功率場效應(yīng)管和IGBT的質(zhì)量檢驗(yàn)、參數(shù)的配對及其它電子元器件的耐壓測試之用。儀器分N溝導(dǎo)型測試儀和P溝導(dǎo)型測試儀兩種。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準(zhǔn)確、操作簡單、使用安全方便。
MOS-1 功率場效應(yīng)管測試儀 主要技術(shù)性能
- 擊穿電壓VDSS測量范圍： 0—1999V， 精度：≤2.5% 。
- IDSS可分三擋選擇： 1mA、250uA、25uA 。
- 柵極開啟電壓VGS（th） 測量范圍： 0—10V。 精度：≤5% 。
- Gfs跨導(dǎo)測試電流Idm：不小于1—50 A連續(xù)可調(diào)， 精度：≤10 % 。
- Gfs跨導(dǎo)測試范圍：1—100 。
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MOS-1 功率場效應(yīng)管測試儀 主要測試功能
- 功率場效應(yīng)管的擊穿電壓VDSS、柵極開啟電壓VGS(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。
- IGBT的擊穿電壓V(BR)ces、柵極開啟電壓VGE(th)、跨導(dǎo)Gfs的測試。
- 功率場效應(yīng)管和IGBT在50A以下的任意電流狀態(tài)下一致性的測試，可用于配對。
- 對其它更大電流和功率的場效應(yīng)管及IGBT的測試：（見下面介紹）。
- 各類晶體三極管、二極管、穩(wěn)壓管擊穿電壓的測試。
- 壓敏電阻電壓的測試等。
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MOS-1 功率場效應(yīng)管測試儀 測試盒與測試線
- 利用測試盒可以方便的測試TO-126、TO-220、TOP-3等類似封裝的功率場效應(yīng)管和IGBT。
- 利用測試線可以測量其它金屬類、模塊類等封裝形式的功率場效應(yīng)管和IGBT。
即使你使用的場效應(yīng)管標(biāo)稱電流和功率遠(yuǎn)大于本儀器所定的100A/300W，本儀器同樣可以在50A的條件下測試其跨導(dǎo)
Gfs參數(shù)及VDSS和VGS(th)兩項(xiàng)電壓參數(shù)。
浙江申達(dá) MOS-1 功率場效應(yīng)管測試儀 測試實(shí)例
| 型號 | 擊穿電壓 | 開啟電壓 | 跨導(dǎo)S | Gfs | 標(biāo)稱電流 | 標(biāo)稱功率 | 封裝 | |
| Vdss | Vgs(th) | Gfs | 測試電流 | ID | PD | |||
| IRF640 | 基本參數(shù) | 200V | 2-4V | ≥6.8 | 11A | 18A | 150W | TO-220 |
| 實(shí)測參數(shù) | 225V | 3.0V | 12 | 11A | ||||
| IRF1010 | 基本參數(shù) | 60V | 2-4V | ≥69 | 50A | 84A | 200W | TO-220 |
| 實(shí)測參數(shù) | 66V | 3.2V | 67 | 50A | ||||
| IRF3205 | 基本參數(shù) | 55V | 2-4V | ≥44 | 62A | 110A | 200W | TO-220 |
| 實(shí)測參數(shù) | 60V | 2.9V | 68 | 60A | ||||
| FQP70N08 | 基本參數(shù) | 80V | 2-4V | 41 | 35A | 70A | 155W | TO-220 |
| 實(shí)測參數(shù) | 86V | 3.2V | 46 | 35A | ||||
| 75NF75 | 基本參數(shù) | 75V | 2-4V | 20 | 40A | 80A | 300W | TO-220 |
| 實(shí)測參數(shù) | 81V | 3.6V | 52 | 40A | ||||
| IRFP064 | 基本參數(shù) | 55V | 2-4V | ≥42 | 59A | 110A | 200W | TO-3P |
| 實(shí)測參數(shù) | 67V | 2.5V | 57 | 60A | ||||
| 2SK1120 | 基本參數(shù) | 1000V | 2.5-5V | 4 | 4A | 8A | 150W | TO-3P |
| 實(shí)測參數(shù) | 1086V | 2.3V | 5 | 4A | ||||
| G160N60 | 基本參數(shù) | 600V | 3.5-6.5V | * | 80A | 160A | 250W | TO-247 |
| 實(shí)測參數(shù) | 626V | 3.9V | 35 | 60A | ||||
| H40T120 | 基本參數(shù) | 1200V | 5-6.5V | 21 | 40A | 75A | 270W | TO-247 |
| 實(shí)測參數(shù) | 1390V | 5.7V | 20 | 40A | ||||
| 60N170D | 基本參數(shù) | 1700V | 3.5-7.5V | 60A | 200W | TO-247 | ||
| 實(shí)測參數(shù) | 1798V | 4.8V | 30 | 60A | ||||
以上是部分管子的實(shí)測數(shù)據(jù)，其中帶黑底色的為IGBT管，不同的廠家其參數(shù)可能有較大差異，僅供參考。
