擴(kuò)散硅壓力變送器優(yōu)勢
的定義
硅單晶材料在受到外力作用產(chǎn)生極微小應(yīng)變時(shí)(一般步于400微應(yīng)變),其內(nèi)部原子結(jié)構(gòu)的電子能級狀態(tài)會(huì)發(fā)生變化,從而導(dǎo)致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現(xiàn)極大變化,這種物理效應(yīng)稱為壓阻效應(yīng)。利用壓阻效應(yīng)原理,采用集成工藝技術(shù)經(jīng)過摻雜、擴(kuò)散,沿單晶硅片上的特點(diǎn)晶向,制成應(yīng)變電阻,構(gòu)成惠斯凳電橋,利用硅材料的彈性力學(xué)特性,在同一切硅材料上進(jìn)行各向異性微加工,就制成了一個(gè)集力敏與力電轉(zhuǎn)換檢測于一體的擴(kuò)散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關(guān)部件,使之輸出一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)信號(hào),就組成了一臺(tái)完整的擴(kuò)散硅壓力變送器。
擴(kuò)散硅壓力變送器優(yōu)勢
工作原理
被測介質(zhì)的壓力直接作用于傳感器的膜片上,使膜片產(chǎn)生與介質(zhì)壓力成正比的微位移,使傳感器的電阻值發(fā)生變化,和用電子線路檢測這一變化,并轉(zhuǎn)換輸出一個(gè)對應(yīng)于這一壓力的標(biāo)準(zhǔn)測量信號(hào)。
技術(shù)指標(biāo)
精度等級:0.25級基本誤差±0.25%
非線性誤差:0.3級≤±0.3%FS
滯后誤差: ≤±0.3%FS
輸出特性:
①0-10mA輸出,負(fù)載電阻0-1.5KΩ
②4-20mA輸出,負(fù)載電阻0-600Ω
③恒流輸出內(nèi)阻大于10MΩ
④二線制4-20mA輸出:標(biāo)準(zhǔn)供電DC24V
防爆標(biāo)志:(RPT-Ⅲ):Exia Ⅱ CT4-6