針對(duì)現(xiàn)今工控市場(chǎng)對(duì)于運(yùn)動(dòng)控制的高性能標(biāo)準(zhǔn)要求,滿足設(shè)備開發(fā)商和系統(tǒng)整合商對(duì)于精準(zhǔn)定位控制的渴望,臺(tái)達(dá)集團(tuán)秉持著精益求精的態(tài)度,推出ASDA-A2高機(jī)能型伺服驅(qū)動(dòng)系列產(chǎn)品。(100W-15KW)ASD-A2-0743-M ASD-A2-0743-U ASD-A2-1543-M ASD-A2-1543-U
ASD-A2-1043-M ASD-A2-1043-U ASD-A2-2043-M ASD-A2-2043-U
ASD-A2-3043-M ASD-A2-3043-U ASD-A2-4543-M ASD-A2-4543-U
ASD-A2-5543-M ASD-A2-5543-U ASD-A2-7543-M ASD-A2-1021-M
ASD-A2-7543-U ASD-A2-0121-L ASD-A2-0121-M ASD-A2-0121-U
ASD-A2-0221-L ASD-A2-0221-M ASD-A2-0221-U ASD-A2-0421-L
ASD-A2-0421-M ASD-A2-0421-U ASD-A2-2043-F ASD-A2-2023-F
ASD-A2-0721-L ASD-A2-0721-M ASD-A2-0721-U ASD-A2-1021-L
ASD-A2-1021-U ASD-A2-1521-L ASD-A2-1521-M ASD-A2-1521-U
ASD-A2-2023-L ASD-A2-2023-M ASD-A2-2023-U ASD-A2-3023-L
ASD-A2-3023-M ASD-A2-3023-U ASD-A2-4523-L ASD-A2-4523-M
ASD-A2-4523-U ASD-A2-7523-L ASD-A2-7523-M ASD-A2-7523-U
ASD-A2-5523-L ASD-A2-5523-M ASD-A2-5523-U ASD-A2-1F23-M
ASD-A2-1B23-M ASD-A2-0121-E ASD-A2-0221-E ASD-A2-0421-E
ASD-A2-0721-E ASD-A2-1021-E ASD-A2-1521-E ASD-A2-2023-E
ASD-A2-3023-E ASD-A2-4543-E ASD-A2R-0121-L ASD-A2R-0121-M
ASD-A2R-0221-L ASD-A2R-0221-M ASD-A2R-0421-L ASD-MDEPIO01
ASD-A2R-0421-M ASD-A2R-0721-L ASD-A2R-0721-M ASD-A2R-1021-L
ASD-A2R-1021-M ASD-A2R-1521-L ASD-A2R-1521-M ASD-A2-0121-F
ASD-A2-0221-F ASD-A2-0421-F ASD-A2-0721-F ASD-A2-0743-F
臺(tái)達(dá)驅(qū)動(dòng)器加工工藝:
加料→熔化→縮頸生長(zhǎng)→放肩生長(zhǎng)→等徑生長(zhǎng)→尾部生長(zhǎng)
(1)加料:將多晶硅原料及雜質(zhì)放入石英坩堝內(nèi),雜質(zhì)的種類依電阻的N或P型而定。雜質(zhì)種類有硼,磷,銻,砷。
(2)熔化:加完多晶硅原料于石英堝內(nèi)后,長(zhǎng)晶爐必須關(guān)閉并抽成真空后充入高純氬氣使之維持一定壓力范圍內(nèi),然后打開石墨加熱器電源,加熱至熔化溫度(1420℃)以上,將多晶硅原料熔化。
(3)縮頸生長(zhǎng):當(dāng)硅熔體的溫度穩(wěn)定之后,將籽晶慢慢浸入硅熔體中。由于籽晶與硅熔體場(chǎng)接觸時(shí)的熱應(yīng)力,會(huì)使籽晶產(chǎn)生位錯(cuò),這些位錯(cuò)必須利用縮勁生長(zhǎng)使之消失掉。縮頸生長(zhǎng)是將籽晶快速向上提升,使長(zhǎng)出的籽晶的直徑縮小到一定大小(4-6mm)由于位錯(cuò)線與生長(zhǎng)軸成一個(gè)交角,只要縮頸夠長(zhǎng),位錯(cuò)便能長(zhǎng)出晶體表面,產(chǎn)生零位錯(cuò)的晶體。
(4)放肩生長(zhǎng):長(zhǎng)完*之后,須降低溫度與拉速,使得晶體的直徑漸漸增大到所需的大小。
(5)等徑生長(zhǎng):長(zhǎng)完*和肩部之后,借著拉速與溫度的不斷調(diào)整,可使晶棒直徑維持在正負(fù)2mm之間,這段直徑固定的部分即稱為等徑部分。單晶硅片取自于等徑部分。
(6)尾部生長(zhǎng):在長(zhǎng)完等徑部分之后,如果立刻將晶棒與液面分開,那么效應(yīng)力將使得晶棒出現(xiàn)位錯(cuò)與滑移線。于是為了避免此問題的發(fā)生,必須將晶棒的直徑慢慢縮小,直到成一尖點(diǎn)而與液面分開。這一過(guò)程稱之為尾部生長(zhǎng)。長(zhǎng)完的晶棒被升*爐室冷卻一段時(shí)間后取出,即完成一次生長(zhǎng)周期。