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所述STM32F446xC / E設(shè)備是基于高性能ARM ® Cortex®-M4 32位RISC核心在高達(dá)180兆赫的頻率工作。Cortex-M4內(nèi)核具有浮點(diǎn)單元(FPU)單精度,支持所有ARM®單精度數(shù)據(jù)處理指令和數(shù)據(jù)類型。它還實(shí)現(xiàn)了全套DSP指令和一個(gè)存儲(chǔ)器保護(hù)單元(MPU),從而增強(qiáng)了應(yīng)用程序的安全性。
STM32F446xC / E器件集成了高速嵌入式存儲(chǔ)器(高達(dá)512 KB的閃存,高達(dá)128 KB的SRAM的閃存),高達(dá)4 KB的備用SRAM以及與兩個(gè)APB連接的各種增強(qiáng)型I / O和外設(shè)總線,兩條AHB總線和一個(gè)32位多AHB總線矩陣。
所有器件均提供三個(gè)12位ADC,兩個(gè)DAC,一個(gè)低功耗RTC,十二個(gè)通用16位定時(shí)器,其中包括兩個(gè)用于電機(jī)控制的PWM定時(shí)器,兩個(gè)通用32位定時(shí)器。
它們還具有標(biāo)準(zhǔn)和高級(jí)通信接口。
主要特征
核心:帶FPU的ARM®32位Cortex®-M4CPU,自適應(yīng)實(shí)時(shí)加速器(ART Accelerator™),允許從閃存中執(zhí)行0等待狀態(tài),頻率高達(dá)180 MHz,MPU,225 DMIPS / 1.25 DMIPS / MHz(Dhrystone 2.1)和DSP指令
回憶
512 kB閃存
128 KB的SRAM
具有高達(dá)16位數(shù)據(jù)總線的靈活外部存儲(chǔ)器控制器:SRAM,PSRAM,SDRAM / LPSDR SDRAM,閃存NOR / NAND存儲(chǔ)器
雙模式Quad SPI接口
LCD并行接口,8080/6800模式
時(shí)鐘,重置和電源管理
1.7 V至3.6 V應(yīng)用電源和I / O
POR,PDR,PVD和BOR
4至26 MHz晶體振蕩器
內(nèi)部16 MHz工廠調(diào)整的RC(1%精度)
32 kHz振蕩器,用于帶有校準(zhǔn)的RTC
具有校準(zhǔn)的內(nèi)部32 kHz RC
低電量
睡眠,停止和待機(jī)模式
用于RTC的VBAT電源,20×32位備份寄存器+可選的4 KB備份SRAM
3×12位,2.4 MSPS ADC:三重交錯(cuò)模式下多24個(gè)通道和7.2MSPS
2×12位D / A轉(zhuǎn)換器
通用DMA:具有F??IFO和突發(fā)支持的16流DMA控制器
多達(dá)17個(gè)計(jì)時(shí)器:2個(gè)看門狗,1個(gè)SysTick計(jì)時(shí)器以及多達(dá)12個(gè)大180 MHz的16位和2個(gè)32位計(jì)時(shí)器,每個(gè)計(jì)時(shí)器多具有4個(gè)IC / OC / PWM或脈沖計(jì)數(shù)器
調(diào)試模式
SWD和JTAG接口
Cortex®-M4跟蹤Macrocell™
多達(dá)114個(gè)具有中斷功能的I / O端口
高達(dá)111個(gè)快速I / O,大90 MHz
多達(dá)112個(gè)5 V耐壓I / O
多達(dá)20個(gè)通訊接口
SPDIF-的Rx
多達(dá)4個(gè)I2 C接口(SMBus / PMBus)
多達(dá)4個(gè)USARTs / 2 UART(11.25 Mbit / s,ISO7816接口,LIN,IrDA,調(diào)制解調(diào)器控制)
多達(dá)4個(gè)SPI(45 Mbits / s),其中3個(gè)具有I2 S多路復(fù)用,可通過內(nèi)部音頻PLL或外部時(shí)鐘實(shí)現(xiàn)音頻類別的準(zhǔn)確性
2 x SAI(串行音頻接口)
2×CAN(2.0B有效)
SDIO接口
消費(fèi)電子控制(CEC)I / F
進(jìn)階連線
具有片上PHY的USB 2.0全速設(shè)備/主機(jī)/ OTG控制器
具有DMA,片上全速PHY和ULPI的USB 2.0高速/全速設(shè)備/主機(jī)/ OTG控制器
的USB電源軌,可在整個(gè)MCU電源范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)片上PHY的運(yùn)行
8至14位并行攝像頭接口,速度高達(dá)54 Mbytes / s
CRC計(jì)算單元
RTC:亞秒級(jí)精度,硬件日歷