VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀
創(chuàng)傷性腦損傷（traumatic brain injury，TBI）是神經外科較常見的疾病，是導致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經生化、神經病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型。
VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀創(chuàng)傷性腦損傷(traumatic brain injury，TBI)是神經外科較常見的疾病，是導致創(chuàng)傷患者傷殘及死亡的主要原因。研究腦損傷后的神經生化、神經病理生理等方面的變化，可為探索行之有效的腦保護治療提供幫助，將有助于提高顱腦損傷患者的生存率及生存質量。故建立各種便于觀察和施加干預因素、控制性佳、可分級、可復制性好并符合人類腦創(chuàng)傷特點的創(chuàng)傷性腦損傷模型，是目前創(chuàng)傷性腦損傷的研究熱點。
VCU創(chuàng)傷性顱腦損傷儀可以分為細胞損傷控制儀（CIC），電子腦皮質挫傷撞擊儀（eCCI）及液壓沖擊損傷儀（FPI）。這三種產品已經廣泛應用于世界范圍內的顱腦創(chuàng)傷研究中心，是目前的顱腦創(chuàng)傷模型制作的金標準。同時FPI損傷儀還可應用到眼科損傷模型，CIC細胞損傷儀可以應用到其它種類細胞損傷模型的制作。
液壓沖擊損傷儀（FPI）
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