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HDYM-III 南京市絕緣子鹽密度測試儀型號

參考價訂貨量

1000

≥1

具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 型號HDYM-III
  • 品牌
  • 所在地武漢市
  • 更新時間2023-09-01
  • 廠商性質(zhì)生產(chǎn)廠家
  • 入駐年限7
  • 實名認證已認證
  • 產(chǎn)品數(shù)量10139
  • 人氣值321870
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南京市絕緣子鹽密度測試儀型號HDYM-III絕緣子鹽密度測試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測,是測量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡稱“鹽密”)的測量儀器,同時還可以測量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。

污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作
南京市絕緣子鹽密度測試儀型號 產(chǎn)品詳情

一、產(chǎn)品簡介

    HDYM-III絕緣子鹽密度測試儀用于電力系統(tǒng)防污閃檢測,是測量絕緣子表面等值附鹽密度(以下簡稱“鹽密”)的測量儀器,同時還可以測量溶液的電導(dǎo)率和溫度。整機以其測量精度高、測量范圍大、使用方便等特點廣泛地應(yīng)用于電力、教學(xué)、科研及其它相關(guān)行業(yè)。

    污穢等級的劃分和污穢等級分布圖的繪制是防污閃工作的基礎(chǔ),準確的污穢等級分布圖是選擇輸、變電設(shè)備電瓷外絕緣爬距的依據(jù)。絕緣子表面等值附鹽密度值是判斷電瓷外絕緣污穢狀況嚴重程度的定量數(shù)據(jù),是劃分污穢等級和繪制污區(qū)圖的重要依據(jù)之一。因此,鹽密測量工作對電力系統(tǒng)安全運行有著重要的意義。

參照標準:

    GB/T16434 – 1996《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污穢分級及外絕緣選擇標準》

    GB/T16434-200X《污穢條件下高壓絕緣子的選擇和尺寸確定第1部分:定義、信息和一般原則》

    Q/GDW152-2006《高壓架空線路和發(fā)電廠、變電所環(huán)境污區(qū)分級及外絕緣選擇標準》

相關(guān)術(shù)語:

    1、參照盤形懸式絕緣子 reference cap and pin insulator

       XP-70、XP-160、LXP-70和LXP-160普通盤形懸式絕緣子(根據(jù)GB/T 7253),通常7~9片組成一串用來測量現(xiàn)場污穢度。

    2、爬電距離 creepage distance

        在兩個導(dǎo)電部分之間,沿絕緣體表面的距離。

        注:水泥或其他非絕緣膠合材料表面不認為是爬電距離的構(gòu)成部分。如果絕緣子的絕緣件的某些部分覆蓋有高電阻層,則該部分應(yīng)認 為是有效絕緣表面并且沿其上面的距離應(yīng)包括在爬電距離內(nèi)。

    3、統(tǒng)一爬電比距 unified specific creepage distance(USCD)

        絕緣子的爬電距離與其兩端承擔(dān)的運行電壓(對于交流系統(tǒng),為相電壓)之比,mm/kV。

    4、附鹽密度 salt deposit density(SDD)

        人工涂覆于給定絕緣子表面(不包括金屬部件和裝配材料)NACL總量除以表面積,mg/cm²。

    5、等值附鹽密度 equivalent salt deposit density(ESDD)

        絕緣子單位絕緣表面上的等值附鹽量,mg/cm²。

    6、不溶物密度(簡稱灰密) non soluble deposit density(NSDD)

        絕緣子單位絕緣表面上清洗的非可溶殘留物總量除以表面積,mg/cm²。

    7、現(xiàn)場等值鹽度 site equivalent salinity(SES)

        根據(jù)GB/T 4585進行鹽霧試驗時的鹽度。用該鹽度試驗,在相同絕緣子和相同電壓下,產(chǎn)生的泄露電流峰值與現(xiàn)場自然污穢條件下的泄露電流基本相同。

    8、現(xiàn)場污穢度 site pollution severity(SPS)

        在適當(dāng)?shù)臅r間段內(nèi)測量到的污穢嚴重程度ESDD/NSDD或SES的值。

    9、現(xiàn)場污穢度等級 site pollution severity class

        將污穢嚴重程度從非常輕到非常嚴重按SPS的分級。

    10、帶電系數(shù)K1 energy coefficient K1

        同形式絕緣子帶電所測ESDD/NSDD(SES)值與非帶電所測ESDD/NSDD(SES)值之比,K1一般為1.1~1.5。

二、功能特點

    (1)具有量程自動切換功能,測量速度快(3s/次)。

    (2)測量范圍大,鹽密范圍0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2。

    (3)中英文界面可自主切換。

    (4)采用480*272(5英寸)彩色觸摸液晶屏幕。

    (5)可直接顯示并打印鹽密度、電導(dǎo)率、溫度、污穢等級、統(tǒng)一爬電比距。

    (6)自動進行溫度補償,直接顯示20℃時的標準電導(dǎo)率和等值附鹽(ESDD)。

    (7)具有自動祛除原溶液含鹽量的功能,降低了對清洗液的要求。

    (8)自動將不帶電測量的鹽密度(ESDD)轉(zhuǎn)換為帶電測量的鹽密度(ESDD)。

    (9)可存儲10萬組記錄,并可將記錄導(dǎo)出至U盤或通過打印機打印。

    (10)可查閱、刪除、導(dǎo)出單條記錄,也可刪除所有記錄。

    (11)內(nèi)置大容量充電鋰電池(2600mAh),適合野外現(xiàn)場使用。

三、產(chǎn)品參數(shù)

    3.1 測量范圍:

              鹽密:0.0001mg/cm2~9.9999mg/cm2(按X-4.5型絕緣子為準)

              測量溫度:0℃~100℃

              測量電導(dǎo)率:0~200000μs/cm

    3.2 基本誤差:

             測量鹽密:分辨率0.0001 mg/cm2

             滿量程精度:±2%

             測量溫度:分辨率0.1℃,精度±0.5℃

             測量電導(dǎo)率:分辨率0.01μs/cm

    3.3 環(huán)境溫度:0℃~60℃。

    3.4 環(huán)境濕度:  <90%。

    3.5 體積與重量

            整機機箱尺寸:長356mm*寬260mm*高133mm。

            整機重量:約2.5Kg。

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,在傳感器的檢測面上涂抹適量的超聲耦合劑后,檢測時傳感器可與殼體接觸良好,無氣泡或空隙,從而減少信號損失,提高靈敏度。

4)檢測時宜使用傳感器固定裝置,避免操作者的人為因素的影響。

5)選擇合適的檢測時間,注意外部干擾源。現(xiàn)場干擾將降低局部放電檢測的靈敏度,甚至導(dǎo)致誤報警和診斷錯誤。因此,局部放電檢測裝置應(yīng)能將干擾抑制到可以接受的水平。

6)提高檢出概率,建議使用信號時間分辨率與電源周波頻率相當(dāng)?shù)某暡ㄐ盘柕臅r域波形的檢測設(shè)備,并記錄連續(xù)多工頻內(nèi)的時域波形。

7)檢測時,應(yīng)做好檢測數(shù)據(jù)和環(huán)境情況的記錄或存儲,如數(shù)據(jù)、波形、工況、測點位置等。

8)每年檢測部位應(yīng)為同一點,除非有異常信號,定位出大點后,改為大點的部位檢測。

9)檢測者宜熟悉待測設(shè)備的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。

3 GIS設(shè)備超聲波局部放電帶電檢測的技術(shù)要點
GIS內(nèi)部發(fā)生局部放電時,伴隨有超聲波信號的產(chǎn)生。通過在GIS外部安裝超聲波傳感器,接收GIS內(nèi)部放電產(chǎn)生的超聲波信號,間接判斷GIS是否有放電現(xiàn)象。該方法的檢測頻率一般在100 kHz范圍內(nèi),對于SF6氣體中的顆粒跳動、*放電、懸浮電位、異物和連接不良比較靈敏,但對于絕緣件內(nèi)部空隙、裂縫等缺陷靈敏度較低。對GIS進行超聲波檢測流程如 GIS超聲波局部放電檢測流程

1)傳感器的選擇

一般的,對GIS設(shè)備進行超聲波局部放電檢測選擇傳感器的頻率范圍為20kHz-100kHz,諧振頻率為40kHz。

2)檢測背景信號南京市絕緣子鹽密度測試儀型號南京市絕緣子鹽密度測試儀型號

檢測前,應(yīng)注意盡量清理現(xiàn)場的干擾聲源。檢測現(xiàn)場附近的排風(fēng)扇旋轉(zhuǎn)、施工機械摩擦、物體與GIS殼體摩擦、臨近的帶電導(dǎo)體電暈等都會帶來干擾。推薦的背景檢測點是GIS外殼底架,并選擇各相測點的小值。對于初步判斷超聲波信號異常的部位,應(yīng)在該部位附近重新檢測背景信號。

3)測點的選擇

由于超聲波信號隨距離增加而顯著衰減,故檢測選點不宜太少,否則很可能漏掉異常點。GIS的超聲波檢測位置示意圖如圖4-12所示。選擇測點的基本原則是:

1)內(nèi)部結(jié)構(gòu)易出問題的部位,如筒體下部,開關(guān)觸頭等;

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