3F/PIC快速反應(yīng)質(zhì)譜儀 | 3F/IDP 離子脫附分析質(zhì)譜儀 |
PIC是帶脈沖離子計數(shù)檢測器的3F質(zhì)譜儀，具有高靈敏度， | Hiden IDP是三級過濾質(zhì)譜/能量分析儀，用于研究ESD、PSD |
快速測量的特點。 | 或UHV-TPD中釋放的低能量粒子。是電子、光子激發(fā)脫附 |
● UHV TPD | 研究中，進行離子、中性粒子、自由基的質(zhì)量、能量 |
三級過濾四極質(zhì)譜儀 | |
● 表面科學，單晶格研究 | |
● 釋出組分的快速質(zhì)量、能量監(jiān)測 | |
● 分子束研究 | |
● 光致解吸研究 | ● 選通輸入分析，進行瞬時/TOF 研究 |
特點：三級過濾四極質(zhì)譜儀 | ● 用表觀勢能譜，分析母體和自由基 |
● 質(zhì)量數(shù)：1～2500amu | ● ESD和PAS閾值,離子能量分布 |
● 脈沖離子計數(shù)器 | ● 正、負離子譜，鍵角信息 |
● 增強的抗污染能力 | ● 泄漏探測/ 實際泄漏分析/脫附研究 |
● 測量速度：500點/秒 | ● 4透鏡離子光學系統(tǒng)/電子轟擊離子源 |
● 動態(tài)范圍：10-7 |
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● 信號選通1μs分辨率 |
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3F/EPIC質(zhì)譜儀 | IMP刻蝕終點檢測儀 |
EPIC是帶脈沖離子計數(shù)、四極桿偏壓（Pulse Ion Counting and | IMP是自帶差式泵，簡潔的二次離子質(zhì)譜儀，適于分析離 |
Pole Bias Control）控制的3F質(zhì)譜儀，用于高精密科學分析、 | 子刻蝕過程中的二次離子和中子。是專業(yè)檢測刻蝕終點的 |
過程研究以及中性粒子、自由基、離子的UHV分析。 | 儀器，用于離子刻蝕控制以及優(yōu)化工藝質(zhì)量。 |
● 中性粒子、自由基，正、負離子 | ● 終點分析 |
● 電子附著研究 | ● 靶污染檢測 |
● 表面科學 | ● 質(zhì)量控制/SPC |
● 分子束研究 | ● 殘余氣體分析 |
● UHV TPD | 特點： |
特點： | ● 高靈敏度的 SIMS/MS，帶脈沖離子計數(shù)檢測器 |
● 質(zhì)量數(shù)范圍可選至2500amu | ● 三級過四極質(zhì)譜儀，標準配置為300amu |
● 離子能量分布掃描±100eV（1000eV可選） | ● 離子光學器件，帶能量分析器和完整的離子源 |
● 當分析能量（或質(zhì)量）分布變化與時間的關(guān)系，或進行 | ● 真空規(guī)提供過壓保護 |
TOF研究時，信號選通分辨率為1µs | ● 穩(wěn)定性好：超過24h，峰高變化小于±0.5% |
● 可升級至等離子體分析或SIMS分析儀 |
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