水冷式冷熱沖擊試驗(yàn)箱三廂
冷熱沖擊試驗(yàn)箱分為兩廂式和三廂式，區(qū)別在于試驗(yàn)方式和內(nèi)部結(jié)構(gòu)不同，產(chǎn)品符合標(biāo)準(zhǔn)為：GB/T2423.1-2008試驗(yàn)A 、GB/T2423.2-2008試驗(yàn)B、GB-T10592-2008、GJB150.3-198、GJB360A-96方法107溫度沖擊試驗(yàn)的要
可程序高低溫試驗(yàn)箱采用韓國(guó)進(jìn)口觸摸屏控制器，德國(guó)比澤爾*的壓縮機(jī)，
箱體結(jié)構(gòu)：
全部功能采用計(jì)算機(jī)控制，系自主開(kāi)發(fā)的軟件，有良好的操作界面，使用戶(hù)的操作和監(jiān)測(cè)都更加簡(jiǎn)單和直觀，保持功能可以使你正在運(yùn)行的程序保持在目前的狀態(tài)下，可以臨時(shí)更改此程序段的數(shù)值，可以在屏幕上設(shè)置時(shí)間的參數(shù)，使制冷、加熱、提藍(lán)傳送切換，按設(shè)定值自動(dòng)進(jìn)行。
冷箱、熱箱獨(dú)立控制，箱門(mén)互相獨(dú)立，擴(kuò)大試驗(yàn)箱的使用范圍(一箱三用)。
產(chǎn)品保溫效果可以得到充分保證。
試驗(yàn)箱門(mén)與循環(huán)風(fēng)機(jī)，提籃傳動(dòng)等互鎖，保護(hù)操作者的安全，一旦打開(kāi)箱門(mén)，循環(huán)風(fēng)機(jī)和提藍(lán)傳動(dòng)的電源會(huì)被自動(dòng)切斷。在箱頂有標(biāo)準(zhǔn)引線(xiàn)孔管，方便用戶(hù)向箱內(nèi)引入傳感器線(xiàn)，檢測(cè)電纜等類(lèi)型引線(xiàn)。
操作流程：
一般來(lái)說(shuō)，高低溫沖擊試驗(yàn)箱操作分為五部走:預(yù)處理、初始檢測(cè)、試驗(yàn)、恢復(fù)、后檢測(cè)。下面皓天試驗(yàn)和大家一起分享一下詳細(xì)流程內(nèi)容:
1.預(yù)處理:將被測(cè)樣品放置在正常的試驗(yàn)大氣條件下，直至達(dá)到溫度穩(wěn)定。
2.初始檢測(cè):將被測(cè)樣品與標(biāo)準(zhǔn)要求對(duì)照，符合要求后直接放入高低溫沖擊試驗(yàn)箱內(nèi)即可。
3.試驗(yàn):
1)試驗(yàn)樣品應(yīng)按標(biāo)準(zhǔn)要求放置在試驗(yàn)箱內(nèi),并將試驗(yàn)箱(室)內(nèi)溫度升到點(diǎn)，保持一定的時(shí)間至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，以時(shí)間長(zhǎng)都為準(zhǔn)。
2)高溫階段結(jié)束后，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)換到已調(diào)節(jié)到-55℃的低溫試驗(yàn)箱(室)內(nèi)，保持1h或者直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，以時(shí)間長(zhǎng)都為準(zhǔn)。
3)低溫階段結(jié)束后，在5min內(nèi)將試驗(yàn)樣品轉(zhuǎn)換到已調(diào)節(jié)到70℃的高溫試驗(yàn)箱(室)內(nèi)，保持1h或者直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定，以時(shí)間長(zhǎng)都為準(zhǔn)。
4)重復(fù)上述實(shí)驗(yàn)方法,以完成三個(gè)循環(huán)周期。根據(jù)樣件大小與空間大小，時(shí)間可能會(huì)略有誤差。
4. 恢復(fù):試驗(yàn)樣品從試驗(yàn)箱內(nèi)取出后，應(yīng)在正常的試驗(yàn)大氣條件下進(jìn)行恢復(fù)，直至試驗(yàn)樣品達(dá)到溫度穩(wěn)定。
5.后檢測(cè):對(duì)照標(biāo)準(zhǔn)中的受損程度及其它方法進(jìn)行檢測(cè)結(jié)果評(píng)定。
溫度沖擊：
冷熱沖擊試驗(yàn)箱(也叫溫度沖擊試驗(yàn)箱)是用來(lái)測(cè)試材料結(jié)構(gòu)或復(fù)合材料，在瞬間下經(jīng)*溫及極低溫的連續(xù)環(huán)境下所能忍受的程度, 藉以在短時(shí)間內(nèi) 試驗(yàn)其因熱脹冷縮所引起的化學(xué)變化或物理傷害，確認(rèn)產(chǎn)品的品質(zhì).適用的對(duì)象包括電子電器零組件、自動(dòng)化零部件、通訊組件、汽車(chē)配件、金屬、化學(xué)材料、塑膠等行業(yè)及國(guó)防工業(yè)、航天、兵工業(yè)、BGA、PCB基扳、電子芯片IC、半導(dǎo)體陶磁及高分子材料之物理牲變化。
