封裝低壓柱型壓電促動(dòng)器VS12采用緊湊型機(jī)械結(jié)構(gòu),克服了裸陶瓷在使用中由于端面受力不均、側(cè)面受剪切力、彎矩、扭矩、震動(dòng)、沖擊和慣性力等因素造成壓電陶瓷的損壞,使得壓電陶瓷的耗損率非常高。并可在不增加外部體積的情況下內(nèi)部集成高性能傳感器,以此來(lái)消除壓電陶瓷在微納運(yùn)動(dòng)過(guò)程中位移輸出的遲滯、蠕變和非線性等問(wèn)題。
封裝低壓柱型壓電促動(dòng)器VS12特點(diǎn):
·偏心遮罩有增大位移量和硬度的作用
·機(jī)械阻抗匹配和機(jī)電耦合性能良好
·能在很廣的頻率范圍內(nèi)操作(包括諧振頻率)
·壓電致動(dòng)器下的遮罩的彎曲程度考慮了放大器中合理的應(yīng)力分布
產(chǎn)品應(yīng)用:
顯微與成像 • 測(cè)量/激光技術(shù)/光學(xué)檢測(cè)/摩擦學(xué) • 生物科技與生命科學(xué) • 新藥設(shè)計(jì)與醫(yī)療技術(shù) • 精密加工(金屬、光學(xué)、激光切割、金剛石修整) • 半導(dǎo)體技術(shù) • 納米技術(shù)、納米制造與納米自動(dòng)化 • 數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù) • 光電子、通
技術(shù)參數(shù):
1.產(chǎn)品測(cè)試條件為0-150V
2.工作溫度:0~50℃
3.*使用環(huán)境:25±3℃(恒定溫度條件下),20~45%相對(duì)濕度(無(wú)冷凝)
4.運(yùn)動(dòng)環(huán)境:10~40℃,20~60%相對(duì)濕度(無(wú)冷凝)
5.貯藏環(huán)境:0~40℃、10~40%相對(duì)濕度(無(wú)冷凝)
6.標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格LEMO+驅(qū)動(dòng)導(dǎo)線為,線長(zhǎng)L=1.5m,線徑Φ1.8mm;標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格LEMO+傳感導(dǎo)線為,線長(zhǎng)L=1.5m,線徑Φ1.2mm。