MST微米劃痕儀

儀器簡介：

微米劃痕測試儀(30mN - 30N) 

微米級劃痕測試儀被廣泛應(yīng)用于界定薄膜與基體的結(jié)合強(qiáng)度，薄膜厚度一般小于５微米。它還被用于分析有機(jī)、無機(jī)，軟質(zhì)和硬質(zhì)薄膜的破壞形式。薄膜材料包括PVD, CVD, PECVD單層或多層薄膜，感光薄膜，彩繪釉漆，和其他應(yīng)用于各種領(lǐng)域的薄膜，包括光學(xué)、微電子、保護(hù)性薄膜、裝飾性涂層等領(lǐng)域。基體材料可以為硬質(zhì)或軟質(zhì)材料，包括金屬、合金、半導(dǎo)體、玻璃、礦物、以及有機(jī)材料等。

MST微米劃痕儀
技術(shù)參數(shù)：

具有有源力學(xué)反饋系統(tǒng)校正樣品形貌帶來的法向力變化 
劃痕正向力小載荷 ?30mN 
劃痕正向力大載荷 ?30N 
正向力分辨率 0.3mN 
大摩擦力 30N 
摩擦力分辨率 0.3mN 
大劃痕深度 ?1000 um 
位移分辨率 0.3nm 
大劃痕長度 ?120mm 
劃痕速度 0.4-600mm/min

 選件 

客戶可以根據(jù)經(jīng)費(fèi)和實際需求選擇CPX或OPX納米力學(xué)平臺），在此基礎(chǔ)上可以選擇CSM公司其它的力學(xué)測試模塊如UNHT（超納米壓痕模塊），NHT（納米壓痕模塊），MHT（微米壓痕模塊），AFM(原子力顯微鏡）模塊或Conscan（白光共聚焦顯微鏡）等，以構(gòu)建自己需要的微納米力學(xué)綜合測試系統(tǒng)

多種金剛石劃痕針頭選擇（曲率半徑50um,100um，200um等，Rockwell C） 

真空、濕度與溫度控制選件 


集成原子力顯微鏡或白光共焦顯微鏡三維成像

主要特點(diǎn)：

實時記錄正向力、摩擦力、摩擦系數(shù)、聲發(fā)射信號隨劃痕距離的變化 
具有前掃描、后掃描模式 
往復(fù)劃痕模式（磨損模式） 
全自動多點(diǎn)劃痕模式、陣列劃痕模式 
恒力劃痕、漸進(jìn)力劃痕及臺階增力劃痕模式 
全自動連續(xù)景深成像（可在Z方向平臺自動移動下進(jìn)行不同深度對焦照相，有效克服光學(xué)物鏡景深限制，形成Z方向高清晰圖像） 
全景成像模式：在任一倍率鏡頭下（如100倍物鏡，視場50-60um），可在劃痕方向平臺自動移動下逐幅拼接劃痕不同位置的光學(xué)圖像，形成劃痕全景圖像，成像長度不低于30mm 
劃痕的光學(xué)圖像和劃痕位置實時一一關(guān)聯(lián)對應(yīng) 
鼠標(biāo)移動至任意劃痕位置時，可以顯示并讀取該點(diǎn)對應(yīng)的正向力、摩擦力、位移深度、聲發(fā)射信號數(shù)值 
鼠標(biāo)移動至任意劃痕位置時，可以觀察到該點(diǎn)對應(yīng)的光學(xué)圖像 
點(diǎn)擊鼠標(biāo)可以自動定義并記錄臨界載荷以及該點(diǎn)對應(yīng)的摩擦力、聲發(fā)射、位移深度數(shù)值 
計算和顯示單個試樣不同位置劃痕的臨界載荷及其對應(yīng)的聲發(fā)射、摩擦力、位移深度的平均值和誤差； 
任意多條劃痕曲線同時顯示、或求平均，可任意選擇測試參量（如正向力、摩擦力、聲發(fā)射、位移深度）以顯示或不顯示其對應(yīng)曲線 
預(yù)約或定時實驗功能 
壓頭使用次數(shù)自動統(tǒng)計功能 
對儀器硬件或測試功能具有用戶不同等級權(quán)限設(shè)定(密碼保護(hù))功能 
自動測試報告生成功能 
多語言切換（如中文、英文、德文、日文、法文等） 
支持WindowsTM XP及Vista操作系統(tǒng)